[发明专利]用于具有可移动的栅极结构的场效应晶体管的分析处理电路

权利要求书

1.具有可移动的栅极结构的场效应晶体管（11）用的分析处理电路（1；10；40），具有：

测量电路（12），所述测量电路耦合在所述分析处理电路（1；10；40）的供电电压端子（V_DD）和所述场效应晶体管（11）的漏极端子之间，并且所述测量电路被设计用于在测量端子（S_out）处输出测量信号（I_out；V_out），所述测量信号与流过所述场效应晶体管（11）的电流的电流强度有关，其中所述测量电路（12）包括由第一晶体管（12a）和第二晶体管（12b）组成的电流镜像电路，所述第一晶体管和第二晶体管分别经由其输入端子与所述供电电压端子（V_DD）连接，其中所述第一晶体管（12a）的输出端子与所述场效应晶体管（11）的所述漏极端子耦合，并且所述第二晶体管（12b）的输出端子与所述测量端子（S_out）耦合；

偏移校正电路（42），所述偏移校正电路具有偏移信号馈入端子（S_off），所述偏移校正电路耦合在所述供电电压端子（V_DD）和所述场效应晶体管（11）的所述漏极端子（43）之间，并且所述偏移校正电路被设计用于通过在所述偏移信号馈入端子（S_off）处馈入的偏移校正信号来补偿出现在所述场效应晶体管（11）的所述漏极端子（43）处的基本电流。

2.根据权利要求1所述的分析处理电路（1；10；40），其中在所述测量电路（12）中通过分流电阻（12c）代替所述电流镜像电路，并且其中所述测量信号包括跨所述分流电阻（12c）下降的电压（V_out）。

3.根据权利要求1所述的分析处理电路（1；10；40），其中在所述测量电路（12）中通过共射-共基放大电路代替所述电流镜像电路，所述共射-共基放大电路具有两个输入端子、第一输出端子和第二输出端子，所述两个输入端子分别与所述供电电压端子（V_DD）连接，所述第一输出端子与所述场效应晶体管（11）的所述漏极端子连接，所述第二输出端子与所述测量端子（S_out）耦合。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的分析处理电路（10），此外具有：阻抗变换电路（13），所述阻抗变换电路具有参考电压端子（V_ref），所述阻抗变换电路耦合在所述测量电路（12）和所述场效应晶体管（11）的漏极端子（13c）之间，并且所述阻抗变换电路被设计用于，使所述场效应晶体管（11）的所述漏极端子（13c）保持在施加在所述参考电压端子（V_ref）上的参考电压的电势上。

5.根据权利要求4所述的分析处理电路（10），其中所述阻抗变换电路（13）具有：

源极跟随器晶体管（13a），所述源极跟随器晶体管耦合在所述测量电路（12）和所述场效应晶体管（11）的漏极端子（13c）之间；以及

运算放大器（13b），所述运算放大器具有输出端子、反相输入端子和非反相输入端子，所述输出端子与所述源极跟随器晶体管（13a）的栅极端子耦合，所述反相输入端子与所述场效应晶体管（11）的所述漏极端子（13c）耦合，所述非反相输入端子与所述参考电压端子（V_ref）耦合。

6.根据权利要求1所述的分析处理电路（40），其中所述偏移校正电路（42）包括电流镜像电路或共射-共基放大电路，所述电流镜像电路或共射-共基放大电路具有两个输入端子、第一输出端子和第二输出端子，所述两个输入端子分别与所述供电电压端子（V_DD）连接，所述第一输出端子与所述场效应晶体管（11）的所述漏极端子（43）耦合，所述第二输出端子与所述偏移信号馈入端子（S_off）耦合。