[发明专利]减少晶片倒角上的硅化物的形成有效
| 申请号： | 201280022095.6 | 申请日： | 2012-05-01 |
| 公开（公告）号： | CN103548121B | 公开（公告）日： | 2017-03-15 |
| 发明（设计）人： | 安德烈亚斯·费希尔;威廉·斯科特·贝斯 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所31263 | 代理人： | 李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种用于防止在晶片倒角上形成金属硅化物材料的方法，其中，所述晶片倒角包围所述晶片的中央区域。将所述晶片放置在倒角等离子体处理室中。在所述晶片倒角上沉积保护层。将所述晶片从所述倒角等离子体处理室中移除。在所述晶片的所述中央区域的至少一部分上沉积金属层，其中，所述金属层的一部分被沉积在所述保护层上。形成半导体器件，同时防止在所述晶片倒角上形成金属硅化物。 | ||
| 搜索关键词： | 减少 晶片 倒角 硅化物 形成 | ||
【主权项】：
一种用于防止在晶片倒角上形成金属硅化物材料的方法，其中，所述晶片倒角包围中央区域，所述方法包括：将所述晶片放置在倒角等离子体处理室中；在所述晶片倒角上沉积保护层；将所述晶片从所述倒角等离子体处理室中移除；在所述晶片的所述中央区域的至少一部分之上沉积金属层，其中，所述金属层的一部分被沉积在所述保护层之上；以及形成半导体器件，同时防止在所述晶片倒角上形成金属硅化物,其中，所述在所述晶片倒角上沉积所述保护层包括：提供含有硅烷气体和氧气的沉积气体；使所述沉积气体形成等离子体，其中，所述等离子体被限制仅在所述晶片倒角区域；仅在所述晶片倒角上沉积二氧化硅，其中，所述硅烷气体为所沉积的二氧化硅提供硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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