[发明专利]减少晶片倒角上的硅化物的形成

说明书

技术领域

本发明涉及半导体器件的形成。更具体地，本发明涉及半导体器件的形成以及减少晶片倒角上的硅化物的形成。

背景技术

在衬底（例如，诸如半导体器件的制造中使用的半导体衬底）的处理过程中经常使用等离子体。在衬底的处理过程中，衬底被分成其上形成半导体器件的多个管芯。晶片衬底的倒角（外围或边缘）不用于形成管芯。在半导体器件的形成过程中，在晶片倒角上可能形成金属硅化物。在晶片倒角上的金属硅化物的形成是不合乎期望的。

发明内容

为了实现前述期望以及根据本发明的目的，提供了一种用于防止在晶片倒角上形成金属硅化物材料的方法，其中所述晶片倒角包围中央区域。将晶片放置在倒角等离子体处理室中。在所述晶片倒角上沉积保护层。将所述晶片从所述倒角等离子体处理室中移除。将金属层沉积在所述晶片的中央区域的至少一部分之上，其中，所述金属层的一部分被沉积在所述晶片倒角上的保护层之上。在所述晶片的所述中央区域上形成半导体器件，同时该保护层防止在所述晶片倒角上的金属硅化物的形成。

在本发明的另一种表现形式中，提供了一种用于防止在晶片倒角上形成硅化物材料的方法，其中所述晶片倒角包围中央区域。将晶片放置在倒角等离子体处理室中。在所述晶片倒角上沉积保护性二氧化硅层，这包括提供含有硅烷气体和氧气的沉积气体，使沉积气体形成等离子体，所述等离子体被限制仅在晶片倒角区域，并仅在晶片倒角上沉积二氧化硅，其中硅烷气体为所沉积的二氧化硅提供硅。将晶片从所述倒角等离子体处理室中移除。将金属层沉积在晶片的中央区域的至少一部分上，其中金属层的一部分被沉积在保护性二氧化硅层上。在晶片的中央区域形成半导体器件，同时防止在晶片倒角上形成金属硅化物。

在本发明的具体实施方式中并结合以下附图将对本发明的这些和其他特征进行更详细的描述。

附图说明

在附图的图中，通过示例的方式而不是通过限制的方式对本发明进行说明，并且其中相似的标号指代相似的元件，且其中：

图1是本发明的一种实施方式中使用的工艺的高阶流程图。

图2是可用于实施本发明的倒角清洁处理室的示意性视图。

图3示出了一种计算机系统，其适合于实现本发明的实施方式中使用的控制器。

图4是图2的部分B的放大视图。

图5是晶片的顶视图。

图6是在晶片倒角上沉积保护层的步骤的更详细的流程图。

图7是在晶片倒角的表面之上形成保护层之后的晶片的顶视图。

图8是在晶片倒角的表面之上形成保护层之后的部分B的放大视图。

具体实施方式

现参照本发明的如在附图中图解的一些优选的实施方式对本发明进行详细的描述。在以下的说明中，为了使本发明能被充分理解，阐述了许多具体的细节。但对于本领域技术人员而言，显而易见，没有这些具体细节中的一些或者全部，仍可以实施本发明。在其他的示例中，为了避免不必要地使本发明难以理解，公知的工艺步骤和/或结构没有详细描述

图1是本发明的一种实施方式的流程图。将晶片放置在倒角等离子体处理室中（步骤104）。在晶片倒角上沉积保护层（步骤108）。在晶片倒角上沉积层被定义为在晶片的表面之上和顶部添加层，而不是使用来自表面或晶片倒角的表面之下的材料来形成层。将晶片从等离子体处理室移除（步骤112）。然后，使晶片经受一个或多个半导体处理步骤，在晶片的中央区域和在保护层上沉积金属层（步骤116），并将造成在硅上沉积金属处金属硅化物的形成。然而，在半导体器件的形成过程中，保护层防止或抑制在晶片倒角上的金属硅化物的形成（步骤120）。通常情况下，执行若干步骤，其中硅化物的形成可能并不是这些步骤的主要目的，而可能是用于形成半导体器件的主要目的的若干处理步骤的所不希望的副效应。形成半导体器件并不需要完全形成半导体器件，但至少需要执行形成半导体器件中的一个或多个步骤。在倒角等离子体处理室去除保护层上的金属和保护层（步骤124）。

示例性沉积二氧化硅