[发明专利]半导体装置

摘要

第一半导体装置包括：第一配线层，它包括第一层间绝缘膜、第一电极焊盘和第一虚设电极，第一电极焊盘埋在第一层间绝缘膜内并且具有与第一层间绝缘膜的一个表面在同一面上的一个表面，和第一虚设电极埋在第一层间绝缘膜内，具有与第一层间绝缘膜的上述一个表面在同一面上的一个表面，并且在第一电极焊盘的周围配置；和第二配线层，它包括第二层间绝缘膜、第二电极焊盘和第二虚设电极，第二电极焊盘埋在第二层间绝缘膜内，具有与第二层间绝缘膜的一个表面在同一表面上的一个表面，并且与第一电极焊盘接合，和第二虚设电极具有与第二层间绝缘膜的更靠近第一层间绝缘膜的表面在同一面上的一个表面，在第二电极焊盘的周围配置，并且与第一虚设电极接合。第二半导体装置包括：包括第一电极的第一半导体部，第一电极在更靠近接合界面的表面上形成并在第一方向上延伸；和包括第二电极并被配置成在所述接合界面处与第一半导体部贴合的第二半导体部，第二电极与第一电极接合并在与第一方向交叉的第二方向上延伸。

主权项

一种半导体装置，包括：第一配线层，它包括第一层间绝缘膜、第一电极焊盘和第一虚设电极，第一电极焊盘埋在第一层间绝缘膜内并且具有与第一层间绝缘膜的一个表面在同一面上的一个表面，和第一虚设电极埋在第一层间绝缘膜内，具有与第一层间绝缘膜的上述一个表面在同一面上的一个表面，并且在第一电极焊盘的周围配置；和第二配线层，它包括第二层间绝缘膜、第二电极焊盘和第二虚设电极，第二层间绝缘膜更靠近第一层间绝缘膜的第一电极焊盘的上述一个表面，第二电极焊盘埋在第二层间绝缘膜内，具有与第二层间绝缘膜的更靠近第一层间绝缘膜的表面在同一表面上的一个表面，并且与第一电极焊盘接合，和第二虚设电极具有与第二层间绝缘膜的更靠近第一层间绝缘膜的表面在同一面上的一个表面，在第二电极焊盘的周围配置，并且与第一虚设电极接合。