[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

第一配线层，它包括第一层间绝缘膜、第一电极焊盘和第一虚设电极，第一电极焊盘埋在第一层间绝缘膜内并且具有与第一层间绝缘膜的一个表面在同一面上的一个表面，和第一虚设电极埋在第一层间绝缘膜内，具有与第一层间绝缘膜的上述一个表面在同一面上的一个表面，并且在第一电极焊盘的周围配置；和

第二配线层，它包括第二层间绝缘膜、第二电极焊盘和第二虚设电极，第二层间绝缘膜更靠近第一层间绝缘膜的第一电极焊盘的上述一个表面，第二电极焊盘埋在第二层间绝缘膜内，具有与第二层间绝缘膜的更靠近第一层间绝缘膜的表面在同一表面上的一个表面，并且与第一电极焊盘接合，和第二虚设电极具有与第二层间绝缘膜的更靠近第一层间绝缘膜的表面在同一面上的一个表面，在第二电极焊盘的周围配置，并且与第一虚设电极接合。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中第一电极焊盘和第一虚设电极相对于第一配线层和第二配线层之间的接合面与第二电极焊盘和第二虚设电极面对称地配置。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中在第一配线层和第二配线层之间的接合面上，第一电极焊盘和第一虚设电极的表面积与第一层间绝缘膜的表面积的比值在50%～60%的范围内。

4.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中第一和第二虚设电极都接地。

5.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中第一电极焊盘和第一虚设电极具有相同的接合面形状，并且全部以等间隔配置。

6.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中第一虚设电极在第一配线层和第二配线层之间的接合面上仅配置在第一电极焊盘的周围。

7.一种半导体装置，包括：

包括第一电极的第一半导体部，第一电极在更靠近接合界面的表面上形成并在第一方向上延伸；和

包括第二电极并被配置成在所述接合界面处与第一半导体部贴合的第二半导体部，第二电极在所述接合界面处与第一电极接合并在与第一方向交叉的第二方向上延伸。

8.如权利要求7所述的半导体装置，其中

第一半导体部包括第一接合部和第一配线，第一接合部包括多个第一电极，和第一配线电连接到第一接合部，

第二半导体部包括第二接合部和第二配线，第二接合部包括多个第二电极，和第二配线电连接到第二接合部。

9.如权利要求8所述的半导体装置，其中所述多个第一电极单独地连接到第一配线。

10.如权利要求9所述的半导体装置，其中所述多个第二电极单独地连接到第二配线。

11.如权利要求8所述的半导体装置，其中第一接合部包括连接到所述多个第一电极的各自一个端部的第一引出电极，和第一引出电极电连接到第一配线。

12.如权利要求11所述的半导体装置，其中第二接合部包括连接到所述多个第二电极的各自一个端部的第二引出电极，和第二引出电极电连接到第二配线。

13.如权利要求8所述的半导体装置，其中第一接合部包括两个第一引出电极，两个第一引出电极中的一个连接到所述多个第一电极的各自一个端部，和另一个连接到所述多个第一电极的各自另一个端部，和两个第一引出电极中的至少一个电连接到第一配线。

14.如权利要求13所述的半导体装置，其中第二接合部包括两个第二引出电极，两个第二引出电极中的一个连接到所述多个第二电极的各自一个端部，和另一个连接到所述多个第二电极的各自另一个端部，和所述两个第二引出电极中的至少一个电连接到第二配线。

15.如权利要求7所述的半导体装置，其中第一电极和第二电极均由Cu形成。