[发明专利]用于生产发光半导体芯片的方法、用于生产转换管芯的方法和发光半导体芯片有效

专利信息
申请号: 201280020954.8 申请日: 2012-03-29
公开(公告)号: CN103748964B 公开(公告)日: 2017-03-01
发明(设计)人: N.冯马尔姆;M.劳卡斯;D.孔达利亚 申请(专利权)人: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
主分类号: H05B33/10 分类号: H05B33/10;H01L33/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司72001 代理人: 马永利,刘春元
地址: 德国雷*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 提供一种发光半导体芯片,该半导体芯片包括具有像素区域的半导体主体,像素区域具有至少两个电隔离的子区域,每个子区域包括在操作期间生成第一波长范围的电磁辐射的有源层,在至少一个子区域的辐射发射面积之上的单独地制造的陶瓷转换管芯,所述转换管芯被配置用于将第一波长范围的辐射转换成第二波长范围的电磁辐射,其中转换管芯的宽度未超过100 pm。另外,提供一种用于生产发光半导体芯片的方法和用于生产转换管芯的方法。
搜索关键词: 用于 生产 发光 半导体 芯片 方法 转换 管芯
【主权项】:
一种发光半导体芯片,包括:具有像素区域的半导体主体,所述像素区域具有至少两个电隔离的子区域,每个子区域包括在操作期间生成第一波长范围的电磁辐射的有源层,以及在至少一个子区域的辐射发射面积之上的单独地制造的陶瓷转换管芯,所述转换管芯被配置用于将第一波长范围的辐射转换成第二波长范围的电磁辐射,其中转换管芯的宽度落在0.5 μm与20 μm之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司,未经奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201280020954.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top