[发明专利]用于生产发光半导体芯片的方法、用于生产转换管芯的方法和发光半导体芯片

权利要求书

1.一种发光半导体芯片，包括：

具有像素区域的半导体主体，所述像素区域具有至少两个电隔离的子区域，每个子区域包括在操作期间生成第一波长范围的电磁辐射的有源层，以及

在至少一个子区域的辐射发射面积之上的单独地制造的陶瓷转换管芯，所述转换管芯被配置用于将第一波长范围的辐射转换成第二波长范围的电磁辐射，其中转换管芯的宽度未超过100 μm。

2.根据权利要求1所述的发光半导体芯片，其中：

所述像素区域包括第一子区域和第二子区域，每个子区域从它的发光面积发射蓝色谱范围的光，

在所述第一子区域的发光面积之上布置的第一转换管芯，所述第一转换管芯将第一波长范围的电磁辐射转换成黄色谱范围的电磁辐射。

3.根据权利要求1所述的发光半导体芯片，其中：

所述像素区域包括第一子区域、第二子区域和第三子区域，每个子区域从它的发光面积发射蓝色谱范围的光，

在所述第一子区域的发光面积之上布置的第一转换管芯，所述第一转换管芯将第一波长范围的电磁辐射转换成红色谱范围的电磁辐射，并且

在所述第二子区域的发光面积之上布置的第二转换管芯，所述第二转换管芯将第一波长范围的电磁辐射转换成绿色谱范围的电磁辐射。

4.根据权利要求1所述的发光半导体芯片，其中转换管芯的所述宽度未超过50 μm。

5.一种用于生产转换管芯的方法，所述转换管芯被配置用于将第一波长范围的电磁辐射转换成第二波长的电磁辐射，所述方法包括以下步骤：

提供衬底；

在所述衬底上涂敷结构化的光阻剂层；

通过以下方法之一在所述光阻剂层之上沉积转换材料的转换层：脉冲式激光沉积、溅射、电子束沉积、离子束辅助脉冲式激光沉积、气浮沉积；并且

去除所述光阻剂层，使得在所述衬底上形成分立转换管芯。

6.根据权利要求5所述的方法，其中通过以下方法之一再结晶所述转换管芯：微波退火、激光退火、RTA退火、在管炉中的退火。

7.根据权利要求5所述的方法，其中所述衬底包括牺牲层，并且通过去除所述牺牲层来使所述衬底和所述转换管芯相互分离。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述牺牲层包括基于氮化物的材料。

9.根据权利要求5所述的方法，其中所述光阻剂层至少与所述转换层一样厚。

10.根据权利要求5所述的方法，其中所述转换管芯的宽度未超过100 μm。

11.一种用于生产发光半导体芯片的方法，包括以下步骤：

提供衬底；

在所述衬底上涂敷结构化的光阻剂层；

通过以下方法之一在所述光阻剂层之上沉积转换材料的转换层：脉冲式激光沉积、溅射、电子束沉积、离子束辅助脉冲式激光沉积、气浮沉积；

去除所述光阻剂层，使得在所述衬底上形成多个分立转换管芯；

提供具有多个像素区域的晶片，每个像素区域具有至少两个电隔离的子区域，每个子区域包括被配置用于在操作期间生成第一波长范围的电磁辐射的有源层；

连接每个像素区域的一个子区域的至少一个发光面积与一个转换管芯；并且

去除所述衬底。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述衬底包括牺牲层，并且通过去除所述牺牲层来去除所述衬底。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述牺牲层包括基于氮化物的材料。

14.根据权利要求11所述的方法，其中通过直接键合或者借助粘合层来连接所述转换管芯和所述子区域的发光面积。

15.根据权利要求1所述的发光半导体芯片，其中所述转换管芯的所述宽度落在0.5 μm与20 μm之间。