[发明专利]薄膜晶体管构造以及具备该构造的薄膜晶体管和显示装置有效
| 申请号： | 201280019557.9 | 申请日： | 2012-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN103493209B | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 前田刚彰;钉宫敏洋;宋俊昊;李制勋;安秉斗;金建熙 | 申请（专利权）人： | 株式会社神户制钢所;三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G02F1/1368;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 樊建中 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种在有机EL显示器或液晶显示器等显示装置中，在形成保护膜等时无需氧化处理层，就能使薄膜晶体管的电特性稳定的氧化物半导体层。本发明的薄膜晶体管构造在基板上至少从基板侧依次具备氧化物半导体层、源/漏电极和保护膜，该薄膜晶体管构造的主旨在于上述氧化物半导体层为第1氧化物半导体层和第2氧化物半导体层的层叠体，上述第1氧化物半导体层中的Zn占金属元素整体的含有量为50原子％以上且形成在源/漏电极以及保护膜侧，上述第2氧化物半导体层包括从由In、Ga以及Zn构成的组中选择的至少一种元素和Sn并形成在基板侧，而且上述第1氧化物半导体层、与上述源/漏电极及保护膜直接接触。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 构造 以及 具备 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管构造，在基板上至少从基板侧依次具备氧化物半导体层、源/漏电极和保护膜，该薄膜晶体管构造的特征在于，上述氧化物半导体层是第1氧化物半导体层和第2氧化物半导体层的层叠体，上述第1氧化物半导体层形成在源/漏电极以及保护膜侧，上述第2氧化物半导体层包括Sn、和从由In、Ga以及Zn构成的组中选择的至少一种元素，并形成在基板侧，而且上述第1氧化物半导体层直接与上述源/漏电极及保护膜接触，并且在上述第1氧化物半导体层中，金属元素由Zn和从Al、Ga及Sn构成的组中选择的1种以上的元素构成，且Zn占金属元素整体的含有量为50原子％以上且不包括100原子％。
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