[发明专利]形成至少一个导电元件的方法,形成半导体结构的方法,形成存储器单元的方法以及相关的半导体结构在审
申请号: | 201280018861.1 | 申请日: | 2012-03-13 |
公开(公告)号: | CN103503116A | 公开(公告)日: | 2014-01-08 |
发明(设计)人: | 山·D·唐;斯科特·E·西里斯;惠特尼·L·韦斯特;罗布·B·古德温;尼尚特·辛哈 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L21/28 | 分类号: | H01L21/28;H01L21/8239 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 孙宝成 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明揭示形成半导体结构和存储器单元的例如互连件和电极等导电元件的方法。所述方法包括:在至少一个开口的一部分中形成第一导电材料和包含银的第二导电材料;以及执行抛光工艺,从而以所述第一导电材料和所述第二导电材料中的至少一者填充所述至少一个开口。可执行退火工艺以形成银与材料的混合物或合金。所述方法使得能够形成具有减小的尺寸(例如,小于约20nm)的含银导电元件。所得导电元件具有所要的电阻率。举例来说,所述方法可用于形成用于电连接有源装置的互连件且用于形成存储器单元的电极。还揭示包括此导电结构的半导体结构和存储器单元。 | ||
搜索关键词: | 形成 至少 一个 导电 元件 方法 半导体 结构 存储器 单元 以及 相关 | ||
【主权项】:
一种形成半导体结构的方法,其包含:在包含由电介质材料的侧壁界定的至少一个开口的结构上方形成第一导电材料;在所述第一导电材料上方形成第二导电材料;以及进行下列操作中的至少一者:将所述结构退火以形成包含所述第一导电材料和所述第二导电材料的至少一部分的材料;以及执行抛光工艺以实质上将所述第一导电材料和所述第二导电材料中的至少一者再分配到所述至少一个开口的未填充区域中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美光科技公司,未经美光科技公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201280018861.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种移动式油田制氮液化装置
- 下一篇:一种电缆穿护管防水封堵装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造