[发明专利]形成至少一个导电元件的方法,形成半导体结构的方法,形成存储器单元的方法以及相关的半导体结构在审

专利信息
申请号: 201280018861.1 申请日: 2012-03-13
公开(公告)号: CN103503116A 公开(公告)日: 2014-01-08
发明(设计)人: 山·D·唐;斯科特·E·西里斯;惠特尼·L·韦斯特;罗布·B·古德温;尼尚特·辛哈 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: H01L21/28 分类号: H01L21/28;H01L21/8239
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 孙宝成
地址: 美国爱*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明揭示形成半导体结构和存储器单元的例如互连件和电极等导电元件的方法。所述方法包括:在至少一个开口的一部分中形成第一导电材料和包含银的第二导电材料;以及执行抛光工艺,从而以所述第一导电材料和所述第二导电材料中的至少一者填充所述至少一个开口。可执行退火工艺以形成银与材料的混合物或合金。所述方法使得能够形成具有减小的尺寸(例如,小于约20nm)的含银导电元件。所得导电元件具有所要的电阻率。举例来说,所述方法可用于形成用于电连接有源装置的互连件且用于形成存储器单元的电极。还揭示包括此导电结构的半导体结构和存储器单元。
搜索关键词: 形成 至少 一个 导电 元件 方法 半导体 结构 存储器 单元 以及 相关
【主权项】:
一种形成半导体结构的方法,其包含:在包含由电介质材料的侧壁界定的至少一个开口的结构上方形成第一导电材料;在所述第一导电材料上方形成第二导电材料;以及进行下列操作中的至少一者:将所述结构退火以形成包含所述第一导电材料和所述第二导电材料的至少一部分的材料;以及执行抛光工艺以实质上将所述第一导电材料和所述第二导电材料中的至少一者再分配到所述至少一个开口的未填充区域中。
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