[发明专利]形成至少一个导电元件的方法，形成半导体结构的方法，形成存储器单元的方法以及相关的半导体结构

权利要求书

1.一种形成半导体结构的方法，其包含：

在包含由电介质材料的侧壁界定的至少一个开口的结构上方形成第一导电材料；

在所述第一导电材料上方形成第二导电材料；以及

进行下列操作中的至少一者：将所述结构退火以形成包含所述第一导电材料和所述第二导电材料的至少一部分的材料；以及执行抛光工艺以实质上将所述第一导电材料和所述第二导电材料中的至少一者再分配到所述至少一个开口的未填充区域中。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在包含由电介质材料的侧壁界定的至少一个开口的结构上方形成第一导电材料包含：在所述电介质材料的所述侧壁上方和在所述侧壁之间的电极的表面上方形成所述第一导电材料。

3.根据权利要求1所述的方法，其中在包含由电介质材料的侧壁界定的至少一个开口的结构上方形成第一导电材料包含：在具有小于约20nm的至少一个尺寸的所述至少一个开口上方形成所述第一导电材料。

4.根据权利要求1所述的方法，其中在所述第一导电材料上方形成第二导电材料包含：在所述第一导电材料上方形成银而并不实质上填充所述至少一个开口。

5.根据权利要求1所述的方法，其中将所述结构退火以形成包含所述第一导电材料和所述第二导电材料的至少一部分的材料包含：将所述结构退火以形成包含银和钽的混合物的材料。

6.根据权利要求1所述的方法，其中将所述结构退火以形成包含所述第一导电材料和所述第二导电材料的至少一部分的材料包含：将所述结构退火以形成包含由银与铂、铝、锡、铜、铱、钛、镍、钴、钌和铑中的至少一者组成的合金的材料。

7.根据权利要求1所述的方法，其中将所述结构退火以形成包含所述第一导电材料和所述第二导电材料的至少一部分的材料包含：将所述结构暴露到介于约200℃与约600℃之间的温度。

8.根据权利要求1所述的方法，其中执行抛光工艺以实质上将所述第一导电材料和所述第二导电材料中的至少一者再分配到所述至少一个开口的未填充区域中包含下列操作中的至少一者：以所述第一导电材料和所述第二导电材料中的至少一者来实质上填充所述至少一个开口；以及将材料从邻接所述至少一个开口的所述电介质材料的表面移除。

9.根据权利要求1所述的方法，其中执行抛光工艺以将所述第一导电材料和所述第二导电材料中的至少一者再分配到所述至少一个开口的未填充区域中包含：使用由水组成的液体组份来执行所述抛光工艺。

10.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含在包含由所述电介质材料的侧壁界定的所述至少一个开口的所述结构上方形成存储器材料。

11.根据权利要求10所述的方法，其中在所述结构上方形成存储器材料包含：在所述结构上方形成硫族化物材料和氧化物材料中的至少一者。

12.根据权利要求10所述的方法，其中在所述结构上方形成存储器材料包含：在所述结构上方形成硫化锗、硒化锗、二氧化硅、氧化钽、氧化钛、氧化氮、氧化锆，和氧化铪中的至少一者。

13.根据权利要求1所述的方法，其中在包含由电介质材料的侧壁界定的至少一个开口的结构上方形成第一导电材料包含：形成具有介于1∶1与约20∶1之间的纵横比的所述至少一个开口。

14.根据权利要求1所述的方法，其中在结构上方形成第一导电材料包含：在所述结构上方形成包含银的所述第一导电材料。

15.根据权利要求1所述的方法，其中在结构上方形成第一导电材料包含：在所述结构上方形成包含铂、钽、铝、锡、铜、铱、钛、镍、钴、钌和铑中的至少一者的所述第一导电材料。

16.根据权利要求1所述的方法，其中在所述第一导电材料上方形成第二导电材料包含：在所述第一导电材料上方形成包含银的所述第二导电材料。

17.根据权利要求1所述的方法，其中在所述第一导电材料上方形成第二导电材料包含：在所述第一导电材料上方形成包含铂、钽、铝、锡、铜、铱、钛、镍、钴、钌和铑中的至少一者的所述第二导电材料。