[发明专利]荧光体及其制造方法有效
申请号: | 201280018413.1 | 申请日: | 2012-02-06 |
公开(公告)号: | CN103476902A | 公开(公告)日: | 2013-12-25 |
发明(设计)人: | 元炯植;金圣民;闵赞淑;尹喆洙 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | C09K11/64 | 分类号: | C09K11/64;C09K11/80;C09K11/79 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 韩明星;韩芳 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 根据本发明一个实施例的荧光体具有如下组成式1:[组成式1]SrySi(6-z)AlzOzN(8-z):Rex,其中,x、y、z分别满足0.005≤x≤0.05、0.05≤y≤0.5、0.001≤z≤0.50,Re为稀土元素。因此在根据本发明一个实施例的荧光体中,当锶的浓度为0.05mol~0.5mol时,可表现出525nm~537nm的短波长。并且,当铝的浓度较高时,可通过添加0.003mol~0.125mol范围的钡而表现出525nm~537nm的短波长。而且,当铝的浓度较高时,可通过将AlN和Al2O3一并作为铝前驱体添加而调节氧浓度,从而表现出525nm~537nm的短波长。结果,由于根据本发明一个实施例的荧光体可表现出525nm~537nm的短波长,因此可防止色彩再现性减弱及显色指数降低。 | ||
搜索关键词: | 荧光 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种荧光体,具有如下组成式1:[组成式1]SrySi(6‑z)AlzOzN(8‑z):Rex,其中,x、y、z分别满足0.005≤x≤0.05、0.05≤y≤0.5、0.001≤z≤0.50,Re为稀土元素。
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