[发明专利]荧光体及其制造方法

权利要求书

1.一种荧光体，具有如下组成式1：

[组成式1]

Sr_ySi_(6-z)Al_zO_zN_(8-z):Re_x，

其中，x、y、z分别满足0.005≤x≤0.05、0.05≤y≤0.5、0.001≤z≤0.50，Re为稀土元素。

2.如权利要求1所述的荧光体，其中，所述z为0.10～0.35。

3.如权利要求1所述的荧光体，其中，当照射激励源时，发光峰值波长在525～537nm范围内。

4.如权利要求1所述的荧光体，其中，所述稀土元素是从由Eu和Ce构成的组中选择。

5.一种荧光体，具有如下组成式2：

[组成式2]

Sr_yBa_mSi_(6-z)Al_zO_zN_(8-z):Re_x，

其中，x、y、z分别满足0.005≤x≤0.05、0.05≤y≤0.5、0.50<z≤1.0，m满足0.003≤m≤0.125，Re为稀土元素。

6.如权利要求5所述的荧光体，其中，所述m为0.01≤m≤0.125。

7.如权利要求5所述的荧光体，其中，当照射激励源时，发光峰值波长在525～537nm范围内。

8.一种荧光体，具有如下组成式3：

[组成式1]

Sr_ySi_(6-z)Al_zO_zN_(8-z):Re_x，

其中，x、y、z分别满足0.005≤x≤0.05、0.05≤y≤0.5、0.50<z≤1.0，m满足0.05≤m≤0.5，Re为稀土元素。

9.如权利要求8所述的荧光体，其中，所述z为0.58≤z≤0.75。

10.如权利要求8所述的荧光体，其中，当照射激励源时，发光峰值波长在525～537nm范围内。

11.一种荧光体制造方法，包括如下步骤：

将锶前驱体、硅前驱体、铝前驱体、以及活性物质前驱体进行混合而生成混合物；

使所述混合物在氮气氛围下烧结，

在此，所述荧光体具有如下组成式1：

[组成式1]

Sr_ySi_(6-z)Al_zO_zN_(8-z):Re_x，

其中，x、y、z分别满足0.005≤x≤0.05、0.05≤y≤0.5、0.001≤z≤0.50，Re为稀土元素。

12.如权利要求11所述的荧光体制造方法，其中，所述锶前驱体为SrCO₃。

13.如权利要求11所述的荧光体制造方法，其中，所述铝前驱体是从由金属铝和氮化铝构成的组中选择。

14.如权利要求11所述的荧光体制造方法，其中，所述活性物质前驱体为包含所述稀土元素的化合物。

15.如权利要求14所述的荧光体制造方法，其中，所述稀土元素是从由Eu和Ce构成的组中选择。

16.如权利要求11所述的荧光体制造方法，其中，进行所述烧结的步骤是在1800℃～2200℃下进行。

17.如权利要求11所述的荧光体制造方法，其中，进行所述烧结的步骤是在0.1～10Mpa的氮气压力下进行。