[发明专利]形成多晶元件的方法以及通过该方法形成的结构有效
| 申请号： | 201280018101.0 | 申请日： | 2012-02-29 |
| 公开（公告）号： | CN103477017A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | A·A·迪吉奥凡尼;S·N·J·里昂;D·L·内尔姆斯;D·E·斯科特 | 申请（专利权）人： | 贝克休斯公司 |
| 主分类号： | E21B10/46 | 分类号： | E21B10/46;E21B10/573;C22C26/00;E21B10/567 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 赵培训 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 形成多晶元件的方法包括在第一基底上形成多晶层。可从多晶层的至少一部分中去除掉催化剂材料。可从第一基底的其余部分上去除掉多晶层和第一基底的附连到多晶层上的部分。第一基底的该部分可附连到另一基底上。多晶元件包括：多晶层，其附连到第一基底的部分上，多晶层形成在该部分上；以及，另一基底，其附连到第一基底的所述部分上。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 多晶 元件 方法 以及 通过 结构 | ||
【主权项】：
一种形成多晶元件的方法，包括以下步骤：在第一基底上形成多晶层；从多晶层的至少一部分中去除掉催化剂材料；从第一基底的其余部分上去除掉多晶层和第一基底的附连到多晶层上的部分；以及将第一基底的所述部分附连到另一基底上。
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