[发明专利]形成多晶元件的方法以及通过该方法形成的结构

权利要求书

1.一种形成多晶元件的方法，包括以下步骤：

在第一基底上形成多晶层；

从多晶层的至少一部分中去除掉催化剂材料；

从第一基底的其余部分上去除掉多晶层和第一基底的附连到多晶层上的部分；以及

将第一基底的所述部分附连到另一基底上。

2.根据权利要求1的方法，还包括以下步骤：

将第一基底的所述部分附连到所述另一基底上之前，将催化剂材料、黄铜材料、惰性再渗透剂材料、有机胶粘剂以及有机金属胶粘剂中的至少一种布置在第一基底的所述部分和所述另一基底之间。

3.根据权利要求1的方法，还包括以下步骤：

使第一基底的附连到多晶层上的所述部分的厚度减少到最小。

4.根据权利要求1的方法，还包括以下步骤：

将第一基底的所述部分附连到所述另一基底上之前，从多晶层中基本上完全地去除掉催化剂材料。

5.根据权利要求4的方法，还包括以下步骤：

将第一基底的所述部分附连到所述另一基底上之前，从第一基底的所述部分的至少一部分中去除掉催化剂材料。

6.根据权利要求1至5中的任一权利要求的方法，其中，将第一基底的所述部分附连到所述另一基底上的步骤包括：将第一基底的所述部分钎焊到所述另一基底上。

7.根据权利要求1至5中的任一权利要求的方法，其中，将第一基底的所述部分附连到所述另一基底上的步骤包括：

将第一基底的附连到多晶层上的所述部分布置在所述另一基底上；以及

对多晶层、第一基底的所述部分、以及所述另一基底进行高温/高压处理。

8.根据权利要求1至5中的任一权利要求的方法，还包括以下步骤：在将第一基底的所述部分附连到所述另一基底上之前，对第一基底的所述部分的、与多晶层相反的表面进行研磨。

9.根据权利要求1至5中的任一权利要求的方法，还包括以下步骤：

形成凹陷，使所述凹陷从第一基底的所述部分的、与多晶层相反的端部开始至少部分进入第一基底的所述部分；以及

将第一基底的所述部分附连到所述另一基底上之前，将所述另一基底的突起插入到所述凹陷中。

10.一种形成多晶元件的方法，包括以下步骤：

在有催化剂材料存在的情况下，对含有超硬磨料材料的多个颗粒进行高温高压处理，以形成附连到第一基底上的多晶层，其中，所述超硬磨料材料布置在硬质材料块的末端上；

从多晶层的至少一部分中去除掉催化剂材料；

从第一基底的其余部分上去除掉多晶层和第一基底的附连到多晶层上的部分；以及

将第一基底的所述部分附连到另一基底上，使第一基底的所述部分介置在多晶层和所述另一基底之间。

11.根据权利要求10的方法，其中，将第一基底的所述部分附连到另一基底上的步骤包括：将第一基底的所述部分钎焊到所述另一基底上。

12.根据权利要求10的方法，其中，将第一基底的所述部分附连到另一基底的步骤包括：

将第一基底的附连到多晶层上的所述部分布置在所述另一基底上，使第一基底的所述部分介置在多晶层和所述另一基底之间；以及

对多晶层、第一基底的所述部分、以及所述另一基底进行另外的高温/高压处理。

13.根据权利要求10的方法，还包括以下步骤：

将第一基底的所述部分附连到所述另一基底上之前，从多晶层的所有部分上基本去除掉催化剂材料。

14.根据权利要求13的方法，还包括以下步骤：

将第一基底的所述部分附连到所述另一基底上之前，从第一基底的所述部分的至少一部分上去除掉催化剂材料。

15.根据权利要求10至14中的任一权利要求的方法，还包括以下步骤：

将第一基底的所述部分附连到所述另一基底上之前，将催化剂材料、黄铜材料、惰性再渗透剂材料、有机胶粘剂以及有机金属胶粘剂布置在第一基底的所述部分和所述另一基底之间。

16.根据权利要求10至14中的任一权利要求的方法，还包括以下步骤：将第一基底的所述部分附连到所述另一基底上之前，对第一基底的所述部分的、与多晶层相反的表面进行研磨。