[发明专利]导电性构件、导电性构件的制造方法、触摸屏及太阳电池无效
| 申请号： | 201280017608.4 | 申请日： | 2012-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN103493147A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 田中智史;直井宪次;中平真一;山本健一 | 申请（专利权）人： | 富士胶片株式会社 |
| 主分类号： | H01B1/22 | 分类号： | H01B1/22;H01B5/14;H01B13/00;H01L31/0224;G06F3/041 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 日本东京港区*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种对于伤痕及磨损具有高耐受性，且导电性优异，透明性、耐热性、耐湿热性、及弯曲性优异的导电性构件、其制造方法、以及使用该导电性构件的触摸屏及太阳电池，上述导电性构件在基材上依次具备包含平均短轴长度为150nm以下的金属纳米线及基质的导电性层、以及包含以下述通式(I)所表示的三维交联结构而构成的保护层，自上述保护层上所测定的表面电阻率为1,000Ω/□以下。-M1-O-M1- (I)(通式(I)中，M1表示选自由Si、Ti、Zr及Al所组成的组群中的元素)。 | ||
| 搜索关键词： | 导电性 构件 制造 方法 触摸屏 太阳电池 | ||
【主权项】：
一种导电性构件，其在基材上依次具备包含平均短轴长度为150mn以下的金属纳米线及基质的导电性层、以及包含以下述通式(I)所表示的三维交联结构而构成的保护层，且自上述保护层上所测定的表面电阻率为1,000Ω/□以下，‑M1‑O‑M1‑ (I)(通式(I)中，M1表示选自由Si、Ti、Zr及Al所组成的组群中的元素)。
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