[发明专利]导电性构件、导电性构件的制造方法、触摸屏及太阳电池

权利要求书

1.一种导电性构件，其在基材上依次具备包含平均短轴长度为150mn以下的金属纳米线及基质的导电性层、以及包含以下述通式(I)所表示的三维交联结构而构成的保护层，且自上述保护层上所测定的表面电阻率为1,000Ω/□以下，

_-M¹_-O_-M¹_-  (I)

(通式(I)中，M¹表示选自由Si、Ti、Zr及Al所组成的组群中的元素)。

2.根据权利要求1所述的导电性构件，其中上述基质为光聚合性组合物的光硬化物、或者将选自由Si、Ti、Zr及Al所组成的组群中的元素的烷氧化物的至少一种水解及聚缩合而获得的溶胶凝胶硬化物。

3.根据权利要求1或2所述的导电性构件，其中上述保护层包含将选自由Si、Ti、Zr及Al所组成的组群中的元素的烷氧化物的至少一种水解及聚缩合而获得的溶胶凝胶硬化物。

4.根据权利要求3所述的导电性构件，其中上述保护层中的上述烷氧化物包含选自由以下述通式(II)所表示的化合物、及以下述通式(III)所表示的化合物所组成的组群中的至少一种，

M²(OR¹)₄ (II)

(通式(II)中，M²表示选自由Si、Ti及Zr所组成的组群中的元素，R¹分别独立地表示氢原子或烃基)

M³(OR²)_aR³_4-a  (III)

(通式(III)中，M³表示选自由Si、Ti及Zr所组成的组群中的元素，R²及R³分别独立地表示氢原子或烃基，a表示1～3的整数)。

5.根据权利要求4所述的导电性构件，其中上述保护层中的上述烷氧化物包含(i)选自以上述通式(II)所表示的化合物中的至少一种以及(ii)选自以上述通式(III)所表示的化合物中的至少一种。

6.根据权利要求5所述的导电性构件，其中上述化合物(ii)／上述化合物(i)的质量比处于0.01／1～100／1的范围内。

7.根据权利要求4至6中任一项所述的导电性构件，其中上述通式(II)中的M²及上述通式(III)中的M³均为Si。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的导电性构件，其中上述金属纳米线为银纳米线。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的导电性构件，其中当在具有下述组成且温度为25℃的蚀刻液中浸渍了120秒时，浸渍后的上述表面电阻率为10⁸Ω/□以上，浸渍前的雾度减去浸渍后的雾度所得的雾度差为0.4％以上，且上述保护层在浸渍后未被去除，

蚀刻液的组成：含有乙二胺四乙酸铁铵2.5质量％、硫代硫酸铵7.5质量％、亚硫酸铵2.5质量％及亚硫酸氢铵2.5质量％的水溶液。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的导电性构件，其中上述导电性层包含导电性区域及非导电性区域而构成，且至少上述导电性区域包含上述金属纳米线。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的导电性构件，其中当进行了如下的磨耗处理时，上述磨耗处理后的上述导电性层的表面电阻率(Ω/□)／上述磨耗处理前的上述导电性层的表面电阻率(Ω/□)的比为100以下，上述磨耗处理是使用连续加载式划痕试验机，并利用纱布以20mm×20mm的尺寸在500g的载荷下对上述保护层的表面往返摩擦50次的处理。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的导电性构件，其中当进行了如下的弯曲处理时，上述弯曲处理后的上述导电性层的表面电阻率(Ω/□)／上述弯曲处理前的上述导电性层的表面电阻率(Ω/□)的比为2.0以下，上述弯曲处理是使用圆筒形芯棒弯曲试验机，将上述导电性构件在直径为10mm的圆筒芯棒弯曲20次的处理。