[发明专利]用于形成适合用于微电子器件的磷属元素化物组合物的方法无效
| 申请号： | 201280017098.0 | 申请日： | 2012-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN103460340A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | G·M·金博尔;J·P·博斯科;H·A·沃特;N·S·刘易斯;M·W·德格洛特;J·C·斯特文斯 | 申请（专利权）人： | 陶氏环球技术有限责任公司;加利福尼亚技术学院 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C23C14/24 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 吴亦华 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了制造磷属元素化物组合物、特别是光活性的和/或半导体的磷属元素化物的方法。在许多实施方式中，这些组合物是待整合到广泛的微电子器件中的生长在广泛的合适衬底上的薄膜的形式，所述微电子器件包括光伏器件、光电探测器、发光二极管、β辐生伏特器件、热电器件、晶体管、其他光电子器件等等。总的来说，本发明从合适的源化合物制备这些组合物，其中在第一加工区中蒸气流源自于源化合物，所述蒸气流在不同于第一加工区的第二加工区中进行处理，然后处理过的蒸气流，任选与一种或多种其他成分组合，用来在合适的衬底上生长磷属元素化物薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 适合 微电子 器件 元素 组合 方法 | ||
【主权项】：
形成磷属元素化物组合物的方法，所述方法包括以下步骤：(a)提供至少一种磷属元素化物源化合物，所述磷属元素化物源化合物包含至少一种磷属元素和至少一种磷属元素以外的元素；(b)在第一加工区中在第一条件下，以有效生成至少部分源自于所述磷属元素化物源化合物的蒸气流的方式处理所述磷属元素化物源化合物；(c)在第二加工区中在第二条件下，以有效分解至少一部分所述蒸气流的方式处理所述蒸气流；和(d)利用包含至少所述处理的蒸气流的成分形成磷属元素化物组合物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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