[发明专利]用于形成适合用于微电子器件的磷属元素化物组合物的方法

权利要求书

1.形成磷属元素化物组合物的方法，所述方法包括以下步骤：

(a)提供至少一种磷属元素化物源化合物，所述磷属元素化物源化合物包含至少一种磷属元素和至少一种磷属元素以外的元素；

(b)在第一加工区中在第一条件下，以有效生成至少部分源自于所述磷属元素化物源化合物的蒸气流的方式处理所述磷属元素化物源化合物；

(c)在第二加工区中在第二条件下，以有效分解至少一部分所述蒸气流的方式处理所述蒸气流；和

(d)利用包含至少所述处理的蒸气流的成分形成磷属元素化物组合物。

2.权利要求1的方法，其中所述磷属元素化物源化合物包含锌和磷。

3.前述权利要求任一项的方法，其中步骤(b)包括在有效生成包含至少一种分子磷属元素物质的蒸气流的条件下加热所述磷属元素化物源化合物。

4.权利要求3的方法，其中所述分子磷属元素物质包含磷。

5.前述权利要求任一项的方法，其中步骤(b)包括在约150℃至约450℃范围的一个或多个温度下加热所述磷属元素化物源化合物。

6.前述权利要求任一项的方法，其中步骤(c)包括在比用于步骤(b)的温度高至少100℃的温度下加热所述蒸气流。

7.前述权利要求任一项的方法，其中步骤(c)包括在约300℃至约1200℃范围的一个或多个温度下加热所述蒸气流。

8.前述权利要求任一项的方法，其中步骤(c)在有效形成具有化学计量过量的磷属元素的膜的条件下进行。

9.前述权利要求任一项的方法，其中步骤(c)在有效形成具有化学计量不足的磷属元素的膜的条件下进行。

10.前述权利要求任一项的方法，其中所述形成的磷属元素化物组合物的第一部分具有p型特征，并且所述形成的磷属元素化物组合物的第二部分具有n型特征。

11.前述权利要求任一项的方法，其还包括将至少一部分所述形成的磷属元素化物组合物退火的步骤。

12.前述权利要求任一项的方法，其中所述形成的磷属元素化物组合物是膜并且是光伏活性的。

13.前述权利要求任一项的方法，其还包括将所述形成的磷属元素化物组合物整合到光伏器件中的步骤。

14.权利要求13的方法，其中所述磷属元素化物组合物形式p-n结的至少一部分。

15.权利要求13的方法，其中所述磷属元素化物组合物包含在覆盖p-n结的膜中。

16.权利要求15的方法，其中所述膜包含(a)磷属元素和至少一种其他元素，其中所述磷属元素和至少一种其他元素来源于所述磷属元素化物源化合物；和(b)来源于第二源的至少一种附加元素。

17.权利要求16的方法，其中所述至少一种附加元素包括Mg。

18.前述权利要求任一项的方法，其中所述磷属元素化物源化合物包含至少两种磷属元素。

19.权利要求1的方法，其中监测来自步骤(c)的至少部分分解的流的组成，其方式使得通过在所述磷属元素化物组合物生长期间适当调节第二条件来控制所述磷属元素化物组合物。

20.适合于形成含磷属元素的半导体的设备，所述设备包括：

(a)第一加热区，其中放置磷属元素化物源化合物并且其可在有效生成至少部分来源于所述源化合物的蒸气流的条件下加热；

(b)从所述第一加热区延伸到衬底表面的路径，所述蒸气流在有效形成半导体的条件下沉积在所述衬底表面上，所述路径包括第二独立加热区，所述蒸气流在其中被至少部分地分解。