[发明专利]像素通路及其形成方法无效
申请号: | 201280016999.8 | 申请日: | 2012-03-30 |
公开(公告)号: | CN103460113A | 公开(公告)日: | 2013-12-18 |
发明(设计)人: | 李镐瑨;钟帆;陶诣 | 申请(专利权)人: | 高通MEMS科技公司 |
主分类号: | G02B26/00 | 分类号: | G02B26/00;G02B26/08 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 孙宝成 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提供用于像素通路的系统、方法及设备。在一个方面中,一种形成具有多个像素的机电装置的方法包含:在衬底(20)上四个隅角中的每一者处且沿着每一像素的至少一个边缘区域沉积导电黑色掩模(23);在所述黑色掩模上方沉积电介质层(35);在所述电介质层上方沉积包含固定电极的光学堆叠(16);以及在所述光学堆叠上方沉积机械层(14)。所述方法进一步包含在所述多个像素中的第一像素中提供导电通路(138),所述通路安置在所述电介质层中且将所述固定电极电连接到所述黑色掩模,所述通路安置在沿着所述第一像素的边缘的位置中且经间隔而在朝着所述第一像素的中心的方向上从所述第一像素的所述边缘偏移。 | ||
搜索关键词: | 像素 通路 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种装置,其包括:像素阵列,每一像素具有:衬底;导电黑色掩模,其安置在所述衬底上并在所述像素的四个隅角中的每一者处且沿着所述像素的至少一个边缘区域掩蔽所述像素的光学非作用部分;电介质层,其安置在所述黑色掩模上方;光学堆叠,其安置在所述电介质层上方,所述光学堆叠包含固定电极;以及机械层,其定位在所述光学堆叠上方且在所述机械层与所述光学堆叠之间界定腔体,所述机械层可穿过所述腔体而在致动位置与松弛位置之间移动,所述机械层在所述像素的每一隅角处锚固在所述光学堆叠上方,其中所述像素阵列包含第一像素,所述第一像素具有在所述电介质层中将所述固定电极电连接到所述黑色掩模的导电通路,所述导电通路安置在所述第一像素的光学非作用区域中沿着所述第一像素的边缘的位置中,且其中所述导电通路的位置经间隔而在朝着所述第一像素的中心的方向上从所述第一像素的所述边缘偏移。
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