[发明专利]像素通路及其形成方法无效
申请号: | 201280016999.8 | 申请日: | 2012-03-30 |
公开(公告)号: | CN103460113A | 公开(公告)日: | 2013-12-18 |
发明(设计)人: | 李镐瑨;钟帆;陶诣 | 申请(专利权)人: | 高通MEMS科技公司 |
主分类号: | G02B26/00 | 分类号: | G02B26/00;G02B26/08 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 孙宝成 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 通路 及其 形成 方法 | ||
1.一种装置,其包括:
像素阵列,每一像素具有:
衬底;
导电黑色掩模,其安置在所述衬底上并在所述像素的四个隅角中的每一者处且沿着所述像素的至少一个边缘区域掩蔽所述像素的光学非作用部分;
电介质层,其安置在所述黑色掩模上方;
光学堆叠,其安置在所述电介质层上方,所述光学堆叠包含固定电极;以及
机械层,其定位在所述光学堆叠上方且在所述机械层与所述光学堆叠之间界定腔体,所述机械层可穿过所述腔体而在致动位置与松弛位置之间移动,所述机械层在所述像素的每一隅角处锚固在所述光学堆叠上方,
其中所述像素阵列包含第一像素,所述第一像素具有在所述电介质层中将所述固定电极电连接到所述黑色掩模的导电通路,所述导电通路安置在所述第一像素的光学非作用区域中沿着所述第一像素的边缘的位置中,且其中所述导电通路的位置经间隔而在朝着所述第一像素的中心的方向上从所述第一像素的所述边缘偏移。
2.根据权利要求1所述的装置,其中所述像素阵列进一步包含沿着所述第一像素的所述边缘邻近于所述第一像素的第二像素,其中所述第二像素并不包含在所述电介质层中用于将所述固定电极电连接到所述黑色掩模的通路。
3.根据权利要求2所述的装置,其中所述第一像素的腔体的高度大于所述第二像素的腔体的高度。
4.根据权利要求3所述的装置,其中所述第一像素是高间隙像素且所述第二像素是中等间隙像素,且其中所述像素阵列进一步包含在所述高间隙像素的与所述中等间隙像素相对的侧上邻近于所述高间隙像素的低间隙像素,且其中所述低间隙像素并不包含所述电介质层中用于将所述固定电极电连接到所述黑色掩模的通路。
5.根据权利要求3所述的装置,其中所述黑色掩模包含沿着所述第一像素的所述边缘从所述像素的隅角延伸到所述通路的通道。
6.根据权利要求5所述的装置,其中所述通道包含包围所述通路的占据面积的凸起。
7.根据权利要求6所述的装置,其中所述黑色掩模的所述通道的包含所述凸起的部分具有从所述凸起的边缘到所述像素的所述边缘介于约3μm到约4.5μm之间的宽度。
8.根据权利要求7所述的装置,其中所述黑色掩模的所述第一通道的不包含所述凸起的部分具有从所述黑色掩模的所述通道的边缘到所述像素的所述边缘介于约2μm到约3μm之间的宽度。
9.根据权利要求3所述的装置,其中从所述通路的中心到所述第一像素的所述边缘的距离介于约1μm到约3μm之间。
10.根据权利要求8所述的装置,其中所述黑色掩模包含光学吸收体层、电介质层及导电总线层中的至少一者。
11.根据权利要求10所述的装置,其中所述通路是所述电介质层中用于将所述黑色掩模的所述导电总线层电连接到所述光学堆叠的所述固定电极的开口。
12.根据权利要求11所述的装置,其进一步包括经配置以施加偏压电压的偏压电路,其中当施加所述偏压电压时,所述机械层的至少一部分实质上平行于所述衬底。
13.根据权利要求1所述的装置,其进一步包括:
显示器;
处理器,其经配置以与所述显示器通信,所述处理器经配置以处理图像数据;以及
存储器装置,其经配置以与所述处理器通信。
14.根据权利要求13所述的装置,其进一步包括:
驱动器电路,其经配置以将至少一个信号发送到所述显示器;以及
控制器,其经配置以将所述图像数据的至少一部分发送到所述驱动器电路。
15.根据权利要求14所述的装置,其进一步包括经配置以将所述图像数据发送到所述处理器的图像源模块。
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