[发明专利]嵌段共聚物及光电转换元件无效
| 申请号： | 201280016662.7 | 申请日： | 2012-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN103443163A | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 伊泽隆文;涉谷宽政;杉冈尚;稻垣拓也;森原靖;中原淳裕;籐田明士;大木弘之 | 申请（专利权）人： | 可乐丽股份有限公司 |
| 主分类号： | C08G61/12 | 分类号： | C08G61/12;C08K3/04;C08L65/00;H01L51/42 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 高旭轶;权陆军 |
| 地址： | 日本冈山县*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 所提供的是：能够通过光电转换活性层提高光吸收量并且控制其形态学并且能够实现优秀的光电转换效率的共轭嵌段共聚物；和包含组合物的光电转换元件，所述组合物包括使用这类共轭嵌段聚合物的电子接受性材料。π电子共轭嵌段共聚物，其包含：聚合物嵌段(A)，其包括具有至少一种杂芳基骨架的单体单元，所述杂芳基骨架选自在其化学结构的一部分中包含至少一个噻吩环的稠合的π共轭骨架、芴、咔唑、二苯并硅杂环戊二烯和二苯并锗杂环戊二烯；和聚合物嵌段（B），其包括至少在其3-位上具有取代基的噻吩-2,5-二基的单体单元。 | ||
| 搜索关键词： | 共聚物 光电 转换 元件 | ||
【主权项】：
π电子共轭嵌段共聚物，其包含：聚合物嵌段（A），其包括具有至少一种杂芳基骨架的单体单元，所述杂芳基骨架选自在其化学结构的一部分中包含至少一个噻吩环的稠合的π共轭骨架、芴、咔唑、二苯并硅杂环戊二烯和二苯并锗杂环戊二烯；和聚合物嵌段（B），其包括至少在其3‑位上具有取代基的噻吩‑2,5‑二基的单体单元。
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