[发明专利]嵌段共聚物及光电转换元件

权利要求书

1.π电子共轭嵌段共聚物，其包含：

聚合物嵌段（A），其包括具有至少一种杂芳基骨架的单体单元，所述杂芳基骨架选自在其化学结构的一部分中包含至少一个噻吩环的稠合的π共轭骨架、芴、咔唑、二苯并硅杂环戊二烯和二苯并锗杂环戊二烯；和

聚合物嵌段（B），其包括至少在其3-位上具有取代基的噻吩-2,5-二基的单体单元。

2.根据权利要求1的π电子共轭嵌段共聚物，

其中所述聚合物嵌段(A)包括-a-b-的单体单元，

-a-具有由以下式(1) - (6)代表的任一种基团，

并且-b-是具有由以下式(7) - (17)代表的任一种基团的单体单元

在所述以上式(1) - (17)中, V¹是氮(-NR¹-)、氧(-O-)或硫(-S-); V² 是碳(-CR¹₂-)、氮(-NR¹-)、硅(-SiR¹₂-)或锗(-GeR¹₂-); V³是由-(Ar)_n-代表的芳基或杂芳基; V⁴ 是氮(-NR¹- )、氧(-O-)或-CR²=CR²-; V⁵ 是氧(O)或硫(S)：

R¹是具有可以各自独立取代的1-18个碳原子的烷基；R²是氢原子或具有可以各自独立取代的1-18个碳原子的烷基；R³是具有可以各自独立取代的1-18个碳原子的烷基或烷氧基；R⁴是氢原子、卤原子、具有可以各自独立取代的1-18个碳原子的烷基或芳基；R⁵是具有可以取代的1-18个碳原子的烷基、或芳基、烷基羰基、烷基氧基羰基，并且R⁶是氢原子或卤原子：

n代表0-3的整数。

3.根据权利要求2的π电子共轭嵌段共聚物，

其中所述单体单元-a-b-是选自以下式(18) - (28)的任一种

在所述以上式(18) - (28)中，V²是碳 (-CR¹₂-)、 氮 (-NR¹-)、硅 (-SiR¹₂-) 或锗(-GeR¹₂-); V³是由-(Ar)_n-代表的芳基或杂芳基  :

R¹、R²、R³、R⁴、R⁵和R⁶为与上文定义相同的含义：

n代表0-3的整数。

4.根据权利要求1的π电子共轭嵌段共聚物，

其中所述聚合物嵌段（B）包含2-5个至少在其3-位上具有取代基的噻吩-2,5-二基成键的单体单元。

5.根据权利要求1的π电子共轭嵌段共聚物，

其中所述聚合物嵌段（B）是具有多种类型的至少在其3-位上具有取代基的噻吩-2,5-二基的无规共聚物嵌段。

6.根据权利要求1-5中任一项的π电子共轭嵌段共聚物，

其中其数均分子量在1,000 - 200,000 g/mol的范围内。

7.组合物，其包含电子接受性材料和权利要求1-6中任一项的π电子共轭嵌段共聚物。