[发明专利]半导体陶瓷及正温度系数热敏电阻有效
| 申请号： | 201280015862.0 | 申请日： | 2012-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN103459350A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 后藤正人;松永达也 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | C04B35/468 | 分类号： | C04B35/468;H01C7/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张宝荣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种耐压性优异的半导体陶瓷和使用该半导体陶瓷的正温度系数热敏电阻元件。构成正温度系数热敏电阻元件(1)的部件主体(11)的半导体陶瓷包含由通式(Ba1-(x+y+z)/100Cax/100Sry/100Smcz/100)TiO3表示的化合物(其中，Smc为半导体化剂)作为主要成分，相对于主要成分100摩尔份，以t摩尔份的比例含有Mn，x、y、t满足2.500≤x≤20.000、0.000≤y≤5.000、2.500≤x+y≤20.000、0.030≤t≤0.150的关系，z在由x、y、t确定的、表示半导体化剂Smc的量与比电阻之间的关系的曲线中的比电阻成为极小的半导体化剂Smc的量以上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 陶瓷 温度 系数 热敏电阻 | ||
【主权项】：
一种半导体陶瓷，其特征在于，所述半导体陶瓷包含由通式(Ba1‑(x+y+z)/100Cax/100Sry/100Smcz/100)TiO3表示的化合物作为主要成分，其中，Smc为半导体化剂，相对于所述主要成分100摩尔份，以t摩尔份的比例含有Mn，所述x、y、t满足2.500≤x≤20.000、0.000≤y≤5.000、2.500≤x+y≤20.000、0.030≤t≤0.150的关系，所述z在由所述x、y、t确定的、表示半导体化剂Smc的量与比电阻之间的关系的曲线中的比电阻成为极小的半导体化剂Smc的量以上。
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