[发明专利]用于更新无源可变电阻式存储器中的数据的方法和装置无效
| 申请号： | 201280015516.2 | 申请日： | 2012-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN103460198A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 布拉德·贝克曼;莉萨·徐 | 申请（专利权）人： | 超威半导体公司 |
| 主分类号： | G06F12/08 | 分类号： | G06F12/08 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了用于更新无源可变电阻式存储器（PVRM）中的数据的方法和装置。在一个实例中，公开了用于更新被存储在PVRM中的数据的方法。所述方法包括在没有使存储器块无效的情况下，更新高速缓存层次结构中多个存储器块的存储器块。所述更新后的存储器块可以被从所述高速缓存层次结构复制到直写缓冲器。此外，所述方法包括将所述更新后的存储器块写入到所述PVRM，从而更新所述PVRM中的数据。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 更新 无源 可变 电阻 存储器 中的 数据 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种装置，其包括：包括多个存储器块的高速缓存层次结构；被可操作连接到所述高速缓存层次结构的直写缓冲器；被可操作连接到所述直写缓冲器的无源可变电阻式存储器（PVRM）；以及被可操作连接到所述高速缓存层次结构的处理器，所述处理器在没有使存储器块无效的情况下，可操作更新所述高速缓存层次结构中的多个存储器块的所述存储器块，其中所述高速缓存层次结构可操作将更新后的存储器块复制到所述直写缓冲器，作为对所述处理器更新所述存储器块的响应，并且其中所述直写缓冲器可操作将所述更新后的存储器块写入到所述PVRM。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于超威半导体公司，未经超威半导体公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201280015516.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：葡萄糖酸钙锌颗粒剂及其制法
- 下一篇：一种聚氨酯板材及其制备方法
