[发明专利]用于更新无源可变电阻式存储器中的数据的方法和装置

权利要求书

1.一种装置，其包括：

包括多个存储器块的高速缓存层次结构；

被可操作连接到所述高速缓存层次结构的直写缓冲器；

被可操作连接到所述直写缓冲器的无源可变电阻式存储器（PVRM）；以及

被可操作连接到所述高速缓存层次结构的处理器，所述处理器在没有使存储器块无效的情况下，可操作更新所述高速缓存层次结构中的多个存储器块的所述存储器块，其中所述高速缓存层次结构可操作将更新后的存储器块复制到所述直写缓冲器，作为对所述处理器更新所述存储器块的响应，并且其中所述直写缓冲器可操作将所述更新后的存储器块写入到所述PVRM。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述PVRM包括相变存储器、自旋转矩转移磁阻存储器和忆阻存储器中的至少一个。

3.根据权利要求1所述的装置，其中所述PVRM通过片上接口被可操作连接到所述直写缓冲器，并且其中所述直写缓冲器通过所述片上接口可操作将所述更新后的存储器块写入到所述PVRM。

4.根据权利要求3所述的装置，其中所述片上接口包括双数据速率接口。

5.根据权利要求1所述的装置，其中所述处理器进一步可操作执行至少一个FENCE指令，当所述直写缓冲器已经将所述更新后的存储器块写入到所述PVRM时，所述至少一个FENCE指令中的每个促使所述直写缓冲器通知所述处理器。

6.根据权利要求5所述的装置，其进一步包括至少一个附加处理器，其中在所述至少一个FENCE指令中的每个被所述处理器执行后，所述处理器和至少一个附加处理器中的每个具有所述PVRM中的数据的一致的全局视图。

7.根据权利要求1所述的装置，其中所述高速缓存层次结构包括1级高速缓存、2级高速缓存和3级高速缓存中的至少一个。

8.根据权利要求1所述的装置，其中所述PVRM是字节可寻址的。

9.一种用于更新无源可变电阻式存储器（PVRM）中的数据的方法，所述方法包括：

在没有使存储器块无效的情况下，更新高速缓存层次结构中多个存储器块的所述存储器块；

将所述更新后的存储器块从所述高速缓存层次结构复制到直写缓冲器；以及

将所述更新后的存储器块写入到所述PVRM，从而更新所述PVRM中的数据。

10.根据权利要求10所述的方法，其中所述PVRM包括相变存储器、自旋转矩转移磁阻存储器和忆阻存储器中的至少一个。

11.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括：

由所述处理器执行至少一个FENCE指令；以及

当所述更新后的存储器块已经基于所述FENCE指令被写入到所述PVRM时，通知所述处理器。

12.根据权利要求9所述的方法，其中所述高速缓存层次结构包括1级高速缓存、2级高速缓存和3级高速缓存中的至少一个。

13.根据权利要求9所述的方法，其中所述PVRM是字节可寻址的。

14.一种装置，其包括：

包括多个存储器块的高速缓存层次结构；

无源可变电阻式存储器（PVRM）；

被可操作连接到所述高速缓存层次结构和PVRM的PVRM控制器；以及

被可操作连接到所述PVRM控制器的处理器，所述处理器可操作将识别所述多个存储器块的至少一个存储器块从所述高速缓存层次结构复制到所述PVRM的控制信息传送到所述PVRM控制器，其中所述PVRM控制器可操作将至少一个被识别的存储器块从所述高速缓存层次结构复制到所述PVRM，作为对所述控制信息的响应。

15.根据权利要求14所述的装置，其中所述PVRM包括相变存储器、自旋转矩转移磁阻存储器和忆阻存储器中的至少一个。

16.根据权利要求14所述的装置，其中所述处理器可操作获得完成通知信息，其中所述完成通知信息可操作通知所述处理器：所述至少一个被识别的存储器块已经被从所述高速缓存层次结构复制到所述PVRM。