[发明专利]半导体发光装置无效

专利信息
申请号: 201280015415.5 申请日: 2012-03-01
公开(公告)号: CN103443941A 公开(公告)日: 2013-12-11
发明(设计)人: 吉田真治;山中一彦 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01L33/50 分类号: H01L33/50;H01L33/56
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 安香子;黄剑锋
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 具备:封装体,由树脂构成,且具有凹部;引线框架(11),在凹部的底面露出;半导体发光元件(14),被设置在凹部内的引线框架(11);树脂层(17),被形成为与凹部内的引线框架(11)接触且覆盖凹部的底面;以及量子点荧光体层(19),被形成在树脂层(17)以及半导体发光元件(14)上,树脂层(17)具有陶瓷微粒子(15),量子点荧光体层(19)包含因粒子径不同而激励荧光谱不同的半导体微粒子、以及分散并保持半导体微粒子的树脂。
搜索关键词: 半导体 发光 装置
【主权项】:
一种半导体发光装置,具备:封装体,由树脂构成,且具有凹部;引线框架,在所述凹部的底面露出;半导体发光元件,被设置在所述凹部内的引线框架;第一树脂层,被形成为与所述凹部内的引线框架接触且覆盖所述凹部的底面;以及第二树脂层,被形成在所述第一树脂层以及所述半导体发光元件上,所述第一树脂层具有陶瓷微粒子,所述第二树脂层包含,因粒子径不同而激励荧光谱不同的半导体微粒子、以及分散并保持所述半导体微粒子的树脂。
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