[发明专利]III-N器件结构和方法有效
| 申请号： | 201280014875.6 | 申请日： | 2012-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN103493206A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 普里米特·帕里克;尤瓦扎·多拉;吴毅锋;乌梅什·米什拉;尼古拉斯·费希滕鲍姆 | 申请（专利权）人： | 特兰斯夫公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 张颖;谢丽娜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明描述了一种III-N器件，其具有III-N层、在所述III-N层上的电极、与所述III-N层和电极相邻的钝化层、与所述钝化层和电极相邻的厚绝缘层、能够将显著热量从所述III-N器件转移出去的高导热性载体以及在所述厚绝缘层与所述载体之间的粘合层。所述粘合层将所述厚绝缘层连接于所述载体。所述厚绝缘层可以具有精确控制的厚度并且是导热的。 | ||
| 搜索关键词： | iii 器件 结构 方法 | ||
【主权项】：
III‑N器件，其包含：其上具有电极的III‑N层；与所述III‑N层和电极相邻的钝化层；与所述钝化层和电极相邻的厚绝缘层；能够将显著热量从所述III‑N器件转移出去的高导热性载体；以及在所述厚绝缘层与所述载体之间的粘合层，所述粘合层将所述厚绝缘层连接于所述载体。
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