[发明专利]晶体物质、基材，及生产晶体物质的方法有效
| 申请号： | 201280013341.1 | 申请日： | 2012-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN103429799A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 荻本泰史 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/32 | 分类号： | C30B29/32;B82Y30/00;C30B33/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张静 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有沿着晶轴方向延伸的不平整结构的晶体物质。本发明的一个方面提供了一种晶体物质1，其具有氧化物晶体暴露并在氧化物晶体的晶轴方向延伸的表面10L，其中该表面10L具有沿着晶轴延伸的至少具有在三个朝向的面11L-14L构成的不平整结构。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体 物质 基材 生产 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体物质，包括：具有氧化物晶体暴露并在氧化物晶体的晶轴方向延伸的表面，其中所述表面具有由沿着晶轴延伸的至少具有三种朝向的面构成的不平整结构。
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