[发明专利]晶体物质、基材，及生产晶体物质的方法

权利要求书

1.一种晶体物质，包括：

具有氧化物晶体暴露并在氧化物晶体的晶轴方向延伸的表面，

其中所述表面具有由沿着晶轴延伸的至少具有三种朝向的面构成的不平整结构。

2.如权利要求1所述的晶体物质，其特征在于

所述的氧化物晶体具有钙钛矿结构的晶体结构，

所述晶轴是氧化物晶体的[001]轴，并且

不平整结构以与氧化物晶体的(210)-平面基本平行的方式扩展。

3.如权利要求2所述的晶体物质，其特征在于

所述的氧化物晶体是钛酸锶(SrTiO₃)，并且

通过在终点温度为1100℃或更高的温度下进行退火处理形成所述不平整结构。

4.如权利要求1所述的晶体物质，其特征在于，所述的不平整结构通过提供至少3个朝向构成：

第一朝向的顶面；

第一朝向的底面；

与第一朝向不同的第二朝向的斜面；以及

与第一朝向和第二朝向不同的第三朝向的斜面。

5.如权利要求1-3中任一项所述的晶体物质，其特征在于

所述的不平整结构具有不平整表面，其中脊部和谷部以大于两个朝向设置的面构成的梯样梯状阶地结构的高度差的高度差重复。

6.一种包括如权利要求1-4中任一项所述的晶体物质的晶体基材。

7.制造表面具有不平整结构的晶体物质的方法，所述方法包括：

制备具有氧化物晶体暴露并以氧化物晶体的晶轴方向延伸的表面的晶体物质的步骤；以及

通过退火处理，形成沿着晶轴延伸的至少具有三种朝向的面构成的不平整结构的步骤。

8.如权利要求7所述的生产晶体物质的方法，其特征在于

所述的氧化物晶体是(210)-平面取向的钛酸锶(SrTiO₃)，并且

所述的形成不平整结构的步骤是在终点温度为1100℃或更高的温度下的表面退火步骤。