[发明专利]表面发射激光器元件、原子振荡器以及表面发射激光器元件的测试方法有效
| 申请号： | 201280013197.1 | 申请日： | 2012-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN103460528A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 佐藤俊一 | 申请（专利权）人： | 株式会社理光 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张祥 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 所公开的表面发射激光器元件包括形成在基板上的下DBR、形成在下DBR上的有源层、形成在有源层上的上DBR、形成在有源层之上的波长调整层以及多个表面发射激光器，多个表面发射激光器构造为通过改变波长调整层的厚度而发射具有不同波长的各激光束。在该表面发射激光器元件中，波长调整层包括交替层叠GaInP和GaAsP的第一膜和交替层叠GaInP和GaAs的第二膜之一，通过局部去除该第一和第二膜中对应的一个的交替层的每一个而改变波长调整层的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 发射 激光器 元件 原子 振荡器 以及 测试 方法 | ||
【主权项】：
一种表面发射激光器元件，包括：下DBR，形成在基板上；有源层，形成在所述下DBR上；上DBR，形成在所述有源层上；波长调整层，形成在所述有源层之上；以及多个表面发射激光器，被构造为通过改变所述波长调整层的厚度而发射具有不同波长的各自的激光束，其中所述波长调整层包括具有交替层叠的GaInP和GaAsP的第一膜以及具有交替层叠GaInP和GaAs的第二膜中的一个膜，所述波长调整层的厚度通过部分去除所述第一膜和所述第二膜中对应的一个膜的交替层中的每一个而改变。
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