[发明专利]表面发射激光器元件、原子振荡器以及表面发射激光器元件的测试方法

权利要求书

1.一种表面发射激光器元件，包括：

下DBR，形成在基板上；

有源层，形成在所述下DBR上；

上DBR，形成在所述有源层上；

波长调整层，形成在所述有源层之上；以及

多个表面发射激光器，被构造为通过改变所述波长调整层的厚度而发射具有不同波长的各自的激光束，其中

所述波长调整层包括具有交替层叠的GaInP和GaAsP的第一膜以及具有交替层叠GaInP和GaAs的第二膜中的一个膜，所述波长调整层的厚度通过部分去除所述第一膜和所述第二膜中对应的一个膜的交替层中的每一个而改变。

2.如权利要求1所述的表面发射激光器元件，其中

所述第一膜和所述第二膜中的所述一个膜通过湿蚀刻被部分去除，并且

用于湿蚀刻GaInP的第一蚀刻溶液和用于湿蚀刻GaAsP或GaAs的第二蚀刻溶液彼此不同。

3.如权利要求1或2所述的表面发射激光器元件，其中

GaInP包括呈现压缩应变的成分。

4.如权利要求1至3任何一项所述的表面发射激光器元件，还包括：

接触层，形成在所述有源层和所述波长调整层之间；以及

电极，连接到所述接触层。

5.一种表面发射激光器元件，包括：

下DBR，形成在基板上；

有源层，形成在所述下DBR上；

上DBR，形成在所述有源层上；

波长调整层，形成在所述有源层之上；以及

多个表面发射激光器，被构造为通过改变所述波长调整层的厚度而发射具有不同波长的各自的激光束；

接触层，形成在所述有源层和所述波长调整层之间；以及

电极，连接到所述接触层。

6.如权利要求4或5所述的表面发射激光器元件，其中

所述接触层由包含GaAs的材料形成。

7.如权利要求1至6任何一项所述的表面发射激光器元件，其中

所述上DBR的至少一部分通过交替层叠具有不同折射系数的电介质膜而形成。

8.如权利要求7所述的表面发射激光器元件，其中

所述电介质膜包括氧化物、氮化物和氟化物。

9.如权利要求1至8任何一项所述的表面发射激光器元件，其中

所述表面发射激光器的每一个构造为发射波长与所述表面发射激光器中的其他表面发射激光器发射的激光束的波长不同的激光束。

10.如权利要求1至8任何一项所述的表面发射激光器元件，其中

两个或更多的表面发射激光器被构造为发射具有相同波长的激光束。

11.如权利要求1至10任何一项所述的表面发射激光器元件，其中

从所述表面发射激光器发射的所述激光束的波长之一落入893.6至895.6nm的范围、851.3至853.3nm的范围、794.0至796.0nm的范围和779.2至781.2nm的范围之一内。

12.如权利要求1至11任何一项所述的表面发射激光器元件，其中

所述有源层包括GaInAs。

13.如权利要求1至12任何一项所述的表面发射激光器元件，其中

所述基板是呈现导电性的半导体晶体基板，并且

所述下DBR、所述有源层和所述波长调整层的每一个通过外延生长半导体材料而形成。

14.如权利要求1至13任何一项所述的表面发射激光器元件，其中

所述基板的尺寸小于500×500μm。

15.一种原子振荡器，包括：

如权利要求1至14的任何一项所述的表面发射激光器元件；

碱性金属单元，包封碱性金属；以及

光电探测器，被构造为检测已经通过所述碱性金属单元的光束，施加到所述碱性金属单元的所述光束从所述表面发射激光器元件的所述表面发射激光器发射，其中

从所述表面发射激光器发射的所述光束包括边带，并且具有不同波长的两个光束施加到所述碱性金属单元，从而通过由于两种共振光的量子干涉效应而产生的光吸收特性控制振荡频率。