[发明专利]用于恢复及封孔受损的低介电常数薄膜的紫外线辅助硅烷化无效
| 申请号： | 201280012115.1 | 申请日： | 2012-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN103430291A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 谢波;A·T·迪莫斯;K·S·伊姆;T·诺瓦克;陈劲文 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆嘉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了用于修复受损的低介电常数薄膜的方法。对低介电常数薄膜的损坏发生在处理薄膜期间，诸如，在蚀刻、灰化及平坦化期间。对低介电常数薄膜的处理使水储存在薄膜的孔中且进一步使亲水性化合物形成在低介电常数薄膜结构中。结合紫外线（UV）辐射及硅烷化化合物的修复工艺自孔移除水且进一步自低介电常数薄膜结构移除亲水性化合物。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 恢复 受损 介电常数 薄膜 紫外线 辅助 硅烷 | ||
【主权项】：
一种修复受损介电薄膜的方法，所述方法包含：将基板放置到处理腔室中，在所述基板上具有所述受损介电薄膜；将硅烷化化合物气化成气化硅烷化化合物的流；在所述处理腔室中将所述基板暴露于所述气化硅烷化化合物的所述流达第一处理时间，并在相同的处理腔室中将所述基板原位暴露于紫外线（UV）辐射达第二时段，将所述基板设置于相同的处理腔室中，而不将所述基板带出所述处理腔室。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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