[发明专利]用于恢复及封孔受损的低介电常数薄膜的紫外线辅助硅烷化

权利要求书

1.一种修复受损介电薄膜的方法，所述方法包含：

将基板放置到处理腔室中，在所述基板上具有所述受损介电薄膜；

将硅烷化化合物气化成气化硅烷化化合物的流；

在所述处理腔室中将所述基板暴露于所述气化硅烷化化合物的所述流达第一处理时间，并在相同的处理腔室中将所述基板原位暴露于紫外线（UV）辐射达第二时段，将所述基板设置于相同的处理腔室中，而不将所述基板带出所述处理腔室。

2.如权利要求1所述的方法，所述方法进一步包含：使一种或多种惰性气体流动至所述处理腔室中。

3.如权利要求1所述的方法，所述方法进一步包含：

在所述处理腔室中自He、Ar、O₂或N₂气体中的至少一种形成等离子体。

4.如权利要求1所述的方法，所述方法进一步包含：

在将所述基板暴露于所述气化硅烷化化合物的所述流之前或者与将所述基板暴露于所述气化硅烷化化合物的所述流同时，将所述基板加热至介于约100℃与约400℃之间的基板温度，在所述基板上具有所述受损介电薄膜。

5.如权利要求1所述的方法，其中在将所述基板原位暴露于紫外线（UV）辐射之前或者与将所述基板原位暴露于紫外线（UV）辐射同时，将所述基板暴露于所述气化硅烷化化合物的所述流。

6.如权利要求1所述的方法，其中在所述硅烷化化合物流动至所述处理腔室中之前，将所述硅烷化化合物气化成气相。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述硅烷化化合物选自由以下组成的群组：六甲基二硅氮烷（HMDS）、四甲基二硅氮烷（TMDS）、三甲基氯硅烷（TMCS）、二甲基二氯硅烷（DMDCS）、甲基三氯硅烷（MTCS）、三甲基甲氧基硅烷（TMMS）（CH₃-Si-(OCH₃)₃）、二甲基二甲氧基硅烷（DMDMS）（(CH₃)₂-Si-(OCH₃)₂）、甲基三甲氧基硅烷（MTMS）（(CH₃)₃-Si-OCH₃）、苯基三甲氧基硅烷（PTMOS）（C₆H₅-Si-(OCH₃)₃）、苯基二甲基氯硅烷（PDMCS）（C₆H₅-Si-(CH₃)₂-Cl）、二甲基胺基三甲基硅烷（DMATMS）（(CH₃)₂-N-Si-(CH₃)₃）、双（二甲基胺）二甲基硅烷（BDMADMS）、以及上述化合物的组合。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述第一处理时间介于约10秒与约600秒之间。

9.如权利要求1所述的方法，其中自介于约100nm与约400nm之间的紫外线波长下且介于约100W/m²与约2000W/m²之间的紫外线辐射功率下的紫外线辐射源产生所述紫外线辐射。

10.如权利要求1所述的方法，所述方法进一步包含：

在将所述基板在所述处理腔室中暴露于所述气化硅烷化化合物的所述流、同时将所述基板原位暴露于紫外线（UV）辐射之前，将所述基板暴露于紫外线固化工艺。

11.如权利要求1所述的方法，其中将所述基板在所述处理腔室中暴露于所述气化硅烷化化合物的所述流、同时将所述基板原位暴露于紫外线（UV）辐射包含：

将所述基板连续暴露于所述气化硅烷化化合物的所述流达所述第一处理时间，同时以脉冲将所述基板原位暴露于紫外线（UV）辐射，每一脉冲介于约5秒与约10秒之间。