[发明专利]具有位错密度保持缓冲层的发光器件有效
| 申请号： | 201280012099.6 | 申请日： | 2012-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN103415934A | 公开（公告）日： | 2013-11-27 |
| 发明（设计）人： | L·杨;W·芬威克 | 申请（专利权）人： | 东芝技术中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;韩宏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种用于形成发光器件的方法，包括形成具有多个层的缓冲层，所述多个层包括衬底、与衬底相邻的氮化铝镓层以及与氮化铝镓层相邻的氮化镓层。在多个层中的每一层的形成期间，选择一个或多个工艺参数，使得多个层中的个体层受到应变。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 密度 保持 缓冲 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种发光器件，包括：缓冲层，包括氮化铝镓层以及与所述氮化铝镓层相邻的氮化镓(GaN)层；以及与所述缓冲层相邻的发光叠层，所述发光叠层包括配置为在电子与空穴复合时产生光的有源层，其中所述缓冲层与所述发光叠层的组合厚度小于或等于5微米(μm)。
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