[发明专利]具有位错密度保持缓冲层的发光器件

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

缓冲层，包括氮化铝镓层以及与所述氮化铝镓层相邻的氮化镓(GaN)层；以及

与所述缓冲层相邻的发光叠层，所述发光叠层包括配置为在电子与空穴复合时产生光的有源层，

其中所述缓冲层与所述发光叠层的组合厚度小于或等于5微米(μm)。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述缓冲层与硅衬底相邻。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述缓冲层进一步包括氮化铝(AlN)层。

4.根据权利要求3所述的发光器件，其中，所述AlN层与所述硅衬底相邻，所述GaN层与所述发光叠层相邻。

5.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述组合厚度小于或等于3μm。

6.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述发光器件具有大于50m的曲率半径(绝对值)。

7.一种发光器件，包括：

缓冲层，包括氮化铝镓层以及与所述氮化铝镓层相邻的氮化镓(GaN)层；以及

与所述GaN层相邻的发光叠层，所述发光叠层具有配置为在电子与空穴复合时产生光的有源层，

其中所述缓冲层的曲率半径的绝对值大于50m。

8.根据权利要求7所述的发光器件，其中，所述缓冲层进一步包括氮化铝(AlN)层。

9.根据权利要求7所述的发光器件，其中，所述缓冲层与硅衬底相邻。

10.根据权利要求7所述的发光器件，其中，所述缓冲层与所述发光叠层的组合厚度小于或等于大约5微米(μm)。

11.根据权利要求7所述的发光器件，其中，所述缓冲层具有介于大约1x10⁸cm^-2与2x10¹⁰cm^-2之间的缺陷密度。

12.一种发光器件，包括：

缓冲层，包括：

i)与所述AlN层相邻的经压缩应变的Al_xGa_1-xN层，其中“x”为介于0与1之间的数字；以及

ii)与所述经应变的Al_xGa_1-xN层相邻的经压缩应变的氮化镓(GaN)层；以及

与所述缓冲层相邻的发光叠层，所述发光叠层具有n型氮化镓(n-GaN)层、p型氮化镓(p-GaN)层以及介于所述n-GaN与p-GaN层之间的有源层，所述有源层配置为在电子与空穴复合时产生光。

13.根据权利要求12所述的发光器件，其中，所述缓冲层进一步包括经拉伸应变的氮化铝(AlN)层。

14.根据权利要求13所述的发光器件，进一步包括与所述经拉伸应变的AlN层相邻的电极。

15.根据权利要求12所述的发光器件，进一步包括与所述缓冲层或所述发光叠层相邻的衬底。

16.根据权利要求15所述的发光器件，其中，所述衬底由选自以下材料构成的组中的材料形成：硅、锗、氧化硅、二氧化硅、氧化钛、二氧化钛、蓝宝石、碳化硅(SiC)、陶瓷材料以及金属材料。

17.根据权利要求12所述的发光器件，其中，所述缓冲层与所述发光叠层的组合厚度小于或等于大约5微米(μm)。

18.根据权利要求12所述的发光器件，其中，所述经应变的AlN层的厚度小于或等于大约1微米(μm)。

19.根据权利要求12所述的发光器件，其中，所述经应变的Al_xGa_1-xN层的厚度小于或等于大约1微米(μm)。

20.根据权利要求12所述的发光器件，其中，所述经应变的GaN层的厚度小于或等于大约4微米(μm)。

21.根据权利要求12所述的发光器件，其中，所述n-GaN层与所述经应变的GaN层相邻。

22.根据权利要求12所述的发光器件，其中，所述缓冲层的厚度小于或等于大约5微米(μm)。