[发明专利]混合型陶瓷喷淋头有效
申请号: | 201280011733.4 | 申请日: | 2012-03-02 |
公开(公告)号: | CN103403843A | 公开(公告)日: | 2013-11-20 |
发明(设计)人: | 穆罕默德·萨布里;拉姆吉斯汗·拉奥·林加帕里;卡尔·F·利泽 | 申请(专利权)人: | 诺发系统公司 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;H01L21/3065;H01L21/02 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 李献忠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供用于衬底处理喷淋头的混合型陶瓷花盘的各种实施方案。混合型陶瓷喷淋头花盘可包括嵌入于该花盘的陶瓷材料内的电极以及穿孔图案。该电极可是相对于穿孔完全封装于该陶瓷材料内。在某些实施方案中,加热器元件也可嵌入于该混合型陶瓷喷淋头花盘内。在使用期间,DC电压源可与该混合型陶瓷喷淋头花盘电气连接。混合型陶瓷花盘可容易地从衬底处理喷淋头拆卸以便易于清洁及花盘更换。 | ||
搜索关键词: | 混合 陶瓷 喷淋 | ||
【主权项】:
一种气体分布装置,其包含:陶瓷花盘,其用于衬底处理喷淋头,该陶瓷花盘包括第一图案的第一通孔,该第一图案的第一通孔被配置成当将该陶瓷花盘安装于该衬底处理喷淋头中且将该衬底处理喷淋头安装于衬底处理装置中时跨越衬底分布半导体工艺气体;电极,其包括第二图案的第二通孔,其中:该电极嵌入于该陶瓷花盘内,该第二图案匹配该第一图案,以及每个第二通孔的大小大于对应第一通孔。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于诺发系统公司,未经诺发系统公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201280011733.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种方便捞取食物的火锅
- 下一篇:一种新型十字晾晒架
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造