[发明专利]混合型陶瓷喷淋头有效
申请号: | 201280011733.4 | 申请日: | 2012-03-02 |
公开(公告)号: | CN103403843A | 公开(公告)日: | 2013-11-20 |
发明(设计)人: | 穆罕默德·萨布里;拉姆吉斯汗·拉奥·林加帕里;卡尔·F·利泽 | 申请(专利权)人: | 诺发系统公司 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;H01L21/3065;H01L21/02 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 李献忠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 混合 陶瓷 喷淋 | ||
1.一种气体分布装置,其包含:
陶瓷花盘,其用于衬底处理喷淋头,该陶瓷花盘包括第一图案的第一通孔,该第一图案的第一通孔被配置成当将该陶瓷花盘安装于该衬底处理喷淋头中且将该衬底处理喷淋头安装于衬底处理装置中时跨越衬底分布半导体工艺气体;
电极,其包括第二图案的第二通孔,其中:
该电极嵌入于该陶瓷花盘内,
该第二图案匹配该第一图案,以及
每个第二通孔的大小大于对应第一通孔。
2.如权利要求1所述的气体分布装置,其中该陶瓷花盘被配置成在不需要从衬底处理装置拆卸该衬底处理喷淋头的情形下从该衬底处理喷淋头能拆卸。
3.如权利要求1所述的气体分布装置,其中每个第二通孔具有为如下各项中的至少较大者的直径:
该对应第一通孔的直径加上0.04,以及
该对应第一通孔的该直径的两倍。
4.如权利要求1所述的气体分布装置,其中该第一通孔具有大约0.05的直径。
5.如权利要求1所述的气体分布装置,其中该第一通孔具有介于0.02至0.06之间的直径。
6.如权利要求1所述的气体分布装置,其中该电极嵌入于该陶瓷花盘内在当将该气体分布装置安装于该衬底处理喷淋头中时距背对该衬底处理喷淋头的该陶瓷花盘的面大约0.05的深度处。
7.如权利要求1所述的气体分布装置,其中该电极的厚度是大约0.002。
8.如权利要求1所述的气体分布装置,其中除定位于当将该气体分布装置安装于该衬底处理喷淋头中时面向该衬底处理喷淋头的导电板的一侧上的一或多个电接触贴片之外,该电极完全由该陶瓷材料包围。
9.如权利要求8所述的气体分布装置,其进一步包含一或多个导电路径,其中:
该一或多个导电路径与该一或多个电接触贴片导电接触,且
该导电路径的至少一部分被曝露以提供与该衬底处理喷淋头的电极电源或接地源的导电接触接口。
10.如权利要求9所述的气体分布装置,其进一步包含DC电压源,该DC电压源电气连接至该导电接触接口。
11.如权利要求10所述的气体分布装置,其中该DC电压源被配置成供应介于0伏与200伏之间的一或多个DC电压。
12.如权利要求8所述的气体分布装置,其进一步包含接触环及一或多个支座,其中:
该接触环和该一或多个支座是导电的,
该一或多个支座中的每一个与该电极的该一或多个电接触贴片中的不同的接触贴片导电接触,
每个支座经由导电路径与该接触环电气连接,且
该陶瓷花盘包括一或多个盲支座孔,其中:
每个盲支座孔包括当将该陶瓷花盘安装于该衬底处理喷淋头中时背对该衬底的开口端,
每个盲支座孔是通过该电极端接的,且
每个盲支座孔被配置成接纳该一或多个支座中的对应支座。
13.如权利要求12所述的气体分布装置,其进一步包含背板,其中:
该背板被配置成与该接触环机械连接,
该背板被配置成与该衬底处理喷淋头的气体分布杆或杆套筒机械连接,且
该背板形成从该接触环至该气体分布杆或杆套筒的导电路径。
14.如权利要求12所述的气体分布装置,其中:
该陶瓷花盘包括机械接口,该机械接口定位于该陶瓷花盘的中心附近且被配置成与该衬底处理喷淋头的气体分布杆的互补机械接口配合,且
当将该陶瓷花盘安装于该衬底处理喷淋头中时,该机械接口与该互补机械接口配合在一起,且该气体分布杆经由该所配合的机械接口与互补机械接口支撑该陶瓷花盘的该中心。
15.如权利要求14所述的气体分布装置,其进一步包含该气体分布杆及气体分布杆套筒,其中:
该气体分布杆经由滑动接口与该气体分布杆套筒配合,
该滑动接口包括弹簧,该弹簧约束该气体分布杆相对于该气体分布杆套筒的滑动移动,
该气体分布杆套筒及该陶瓷花盘相对于彼此且相对于沿滑动接口行进方向的移动在空间上基本固定,且
提供至该陶瓷花盘的该中心的支撑量通过该弹簧的位移来管控。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造