[发明专利]调节基于金属纳米结构的透明导体的功函数的方法无效
| 申请号： | 201280011724.5 | 申请日： | 2012-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN103503191A | 公开（公告）日： | 2014-01-08 |
| 发明（设计）人： | 弗络瑞恩·普舍尼茨卡 | 申请（专利权）人： | 凯博瑞奥斯技术公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L51/00;H01L51/10;H01L51/44;C09D5/24;C09D7/12;G02F1/1343;H01B1/02;H01B1/22;H01L31/0224;H01L31/18;B82Y10/00;H05K1/09 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 王达佐;阴亮 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及通过在单个金属纳米结构上形成偶极表面层来调节基于金属纳米结构的导电膜的功函数的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 调节 基于 金属 纳米 结构 透明 导体 函数 方法 | ||
【主权项】：
调整基于金属纳米结构的导电膜的功函数的方法，所述方法包括：提供多个金属纳米结构，各个金属纳米结构具有外表面；以及在所述金属纳米结构的所述外表面上形成偶极表面层，其中所述偶极表面层包括多个偶极配位体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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