[发明专利]调节基于金属纳米结构的透明导体的功函数的方法

权利要求书

1.调整基于金属纳米结构的导电膜的功函数的方法，所述方法包括：

提供多个金属纳米结构，各个金属纳米结构具有外表面；以及

在所述金属纳米结构的所述外表面上形成偶极表面层，其中所述偶极表面层包括多个偶极配位体。

2.如权利要求1所述的方法，其中在所述金属纳米结构的所述外表面上形成所述偶极表面层包括：

形成包含所述多个金属纳米结构和所述多个偶极配位体的墨组合物，以及

将所述墨组合物涂覆在基板上以提供所述导电膜。

3.如权利要求1或权利要求2所述的方法，其中调整功函数包括与无偶极表面层的金属纳米结构的导电膜形式相比，使所述功函数增加约0.8-1.2eV。

4.如权利要求1至3中任一权利要求所述的方法，其中所述偶极配位体为极性分子。

5.如权利要求4所述的方法，其中所述极性分子为表面活性剂。

6.如权利要求5所述的方法，其中所述表面活性剂为阴离子氟表面活性剂。

7.如权利要求1至6中任一权利要求所述的方法，其中所述偶极配位体为羧酸锂阴离子氟表面活性剂。

8.墨组合物，其包含：

多个金属纳米线，以及

偶极配位体，其中每m²所述金属纳米结构的表面积存在约10^-6至10^-4摩尔的所述偶极配位体。

9.如权利要求8所述的墨组合物，其中每m²所述金属纳米结构的表面积存在约10^-5至10^-4摩尔的所述偶极配位体。

10.如权利要求8或权利要求9所述的墨组合物，其中所述金属纳米结构为银纳米线。

11.如权利要求8至10中任一权利要求所述的墨组合物，其中所述偶极配位体为阴离子氟表面活性剂。

12.如权利要求11所述的墨组合物，其中所述阴离子氟表面活性剂为羧酸锂阴离子氟表面活性剂。

13.如权利要求8至12中任一权利要求所述的墨组合物，其还包含：表面活性剂，其中所述多个金属纳米线与所述表面活性剂的重量比为560︰1至5︰1。

14.如权利要求8至13中任一权利要求所述的墨组合物，其还包含粘度改性剂。

15.如权利要求14所述的墨组合物，其中所述粘度改性剂为HPMC。

16.有机发光二极管(OLED)装置，其包括：

阴极，

阳极，以及

设置在所述阴极与所述阳极之间的有机发射堆栈，

其中所述阳极包括多个金属纳米结构的导电膜，各个金属纳米结构具有外表面和设置在所述外表面上的偶极表面层，并且其中所述偶极表面层包括多个偶极配位体。

17.如权利要求16所述的OLED装置，其中每m²所述金属纳米结构的表面积存在10^-6至10^-4摩尔的所述偶极配位体。

18.如权利要求16所述的OLED装置，其中每m²所述金属纳米结构的表面积存在10^-5至10^-4摩尔的所述偶极配位体。

19.如权利要求16至18中任一权利要求所述的OLED装置，其中所述偶极配位体为阴离子表面活性剂。

20.如权利要求17至19中任一权利要求所述的OLED装置，其中所述阳极具有5.2-5.7eV的功函数。