[发明专利]半导体器件

摘要

本发明的目的在于，提供可以缩小器件尺寸、降低串联电阻和抑制泄漏电流的半导体器件。本发明正是把器件动作本来不需要的电位阶差产生层插入器件的结构内。该电位阶差具有这样的功能，即，即使带隙小的半导体在台面侧面露出，也可以抑制该部分的电压降，减小对器件动作不合适的泄漏电流。异质结构双极晶体管、光电二极管和电场吸收型光调制器等都可以得到该效果。另外，在光电二极管中，由于泄漏电流缓和，所以可以缩小器件的尺寸，不仅可以通过降低串联电阻改善动作速度，还具有可以高密度地阵列状地配置器件的优点。

主权项

一种半导体器件，在衬底的一侧与上述衬底面平行地层叠了第1半导体层、p型的第2半导体层、n型的第3半导体层、以及n型的第4半导体层和p型的第5半导体层中的至少一层，其特征在于：上述第1半导体层配置在上述第2半导体层与上述第3半导体层之间，杂质浓度比上述第2半导体层和上述第3半导体层低；上述第4半导体层配置在上述第1半导体层与上述第2半导体层之间，带隙比上述第1半导体层大；上述第5半导体层配置在上述第1半导体层与上述第3半导体层之间，带隙比上述第1半导体层大；上述第2半导体层比上述第3半导体层离上述衬底远时，必须有上述第4半导体层，上述第2半导体层的外周在上述第4半导体层的外周的更内侧；上述第3半导体层比上述第2半导体层离上述衬底远时，必须有上述第5半导体层，上述第3半导体层的外周在上述第5半导体层的外周的更内侧。