[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201280010887.1 | 申请日： | 2012-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN103403848A | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 石桥忠夫;安藤精后;村本好史;吉松俊英;横山春喜 | 申请（专利权）人： | NTT电子股份有限公司;日本电信电话株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;G02F1/017;H01L29/737;H01L31/10 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 高科 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，在衬底的一侧与上述衬底面平行地层叠了第1半导体层、p型的第2半导体层、n型的第3半导体层、以及n型的第4半导体层和p型的第5半导体层中的至少一层，其特征在于：
上述第1半导体层配置在上述第2半导体层与上述第3半导体层之间，杂质浓度比上述第2半导体层和上述第3半导体层低；
上述第4半导体层配置在上述第1半导体层与上述第2半导体层之间，带隙比上述第1半导体层大；
上述第5半导体层配置在上述第1半导体层与上述第3半导体层之间，带隙比上述第1半导体层大；
上述第2半导体层比上述第3半导体层离上述衬底远时，必须有上述第4半导体层，上述第2半导体层的外周在上述第4半导体层的外周的更内侧；
上述第3半导体层比上述第2半导体层离上述衬底远时，必须有上述第5半导体层，上述第3半导体层的外周在上述第5半导体层的外周的更内侧。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：
在上述第2半导体层比上述第3半导体层离上述衬底远时，在上述第2半导体层与上述第4半导体层之间施加反偏压时，在上述第4半导体层中产生0.2V以上、1.0V以下的电位差。
3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：
上述第3半导体层比上述第2半导体层离上述衬底远时，在上述第3半导体层与上述第5半导体层之间施加反偏压时，在上述第5半导体层中产生0.2V以上、1.0V以下的电位差。
4.如权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于：
上述第2半导体层比上述第3半导体层离上述衬底远时，还具有n型的第6半导体层，该第6半导体层与上述第2半导体层的与上述第4半导体层相反的一侧邻接。
5.如权利要求1或3所述的半导体器件，其特征在于：
上述第3半导体层比上述第2半导体层离上述衬底远时，还具有p型的第7半导体层，该第7半导体层与上述第3半导体层的与上述第5半导体层相反的一侧邻接。
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