[发明专利]半导体装置及其制造方法以及显示装置有效
申请号: | 201280010742.1 | 申请日: | 2012-02-22 |
公开(公告)号: | CN103403849A | 公开(公告)日: | 2013-11-20 |
发明(设计)人: | 宫本光伸 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;G02F1/1368;H01L29/786 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 制造一种半导体装置,该半导体装置包括:半导体层;分别与该半导体层重叠的多个电极部;和配置在该多个电极部中的各个电极部彼此之间且与上述半导体层重叠的绝缘膜。该制造方法包括:形成一部分被绝缘膜覆盖的氧化物半导体层的工序;形成覆盖氧化物半导体层和绝缘膜的导电性材料层的工序;通过光刻和等离子体干式蚀刻从导电性材料层形成多个电极部,由此使氧化物半导体层的一部分从多个电极部和绝缘膜露出的工序;和通过除去从多个电极部和绝缘膜露出的氧化物半导体层的一部分而形成半导体层的工序。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 及其 制造 方法 以及 显示装置 | ||
【主权项】:
一种半导体装置的制造方法,其为制造半导体装置的方法,该半导体装置包括:半导体层;分别与该半导体层重叠的多个电极部;和配置在该多个电极部中的各个电极部彼此之间且与所述半导体层重叠的绝缘膜,该半导体装置的制造方法的特征在于,包括:第一工序,形成一部分被所述绝缘膜覆盖的岛状的氧化物半导体层;第二工序,以覆盖所述氧化物半导体层和所述绝缘膜的方式形成导电性材料层;第三工序,通过光刻和等离子体干式蚀刻从所述导电性材料层形成所述多个电极部,由此使所述氧化物半导体层的一部分从该多个电极部和所述绝缘膜露出;和第四工序,通过除去从所述多个电极部和所述绝缘膜露出的所述氧化物半导体层而形成所述半导体层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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