[发明专利]半导体装置及其制造方法以及显示装置

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其为制造半导体装置的方法，该半导体装置包括：半导体层；分别与该半导体层重叠的多个电极部；和配置在该多个电极部中的各个电极部彼此之间且与所述半导体层重叠的绝缘膜，该半导体装置的制造方法的特征在于，包括：

第一工序，形成一部分被所述绝缘膜覆盖的岛状的氧化物半导体层；

第二工序，以覆盖所述氧化物半导体层和所述绝缘膜的方式形成导电性材料层；

第三工序，通过光刻和等离子体干式蚀刻从所述导电性材料层形成所述多个电极部，由此使所述氧化物半导体层的一部分从该多个电极部和所述绝缘膜露出；和

第四工序，通过除去从所述多个电极部和所述绝缘膜露出的所述氧化物半导体层而形成所述半导体层。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

在所述第三工序中，将所述多个电极部形成为：在与所述多个电极部彼此相对的方向正交的方向上，所述氧化物半导体层的宽度大于所述电极部的宽度和所述绝缘膜的宽度。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述多个电极部是源极电极和漏极电极，

所述绝缘膜是沟道保护膜。

4.如权利要求1至3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述氧化物半导体是IGZO。

5.一种半导体装置，其包括：半导体层；与所述半导体层分别重叠的多个电极部；和配置在所述多个电极部中的各个电极部彼此之间且与所述半导体层重叠的绝缘膜，所述半导体装置的特征在于：

所述半导体层由氧化物半导体形成，该半导体层整体与所述多个电极部和所述绝缘膜重叠。

6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于：

所述多个电极部是源极电极和漏极电极，

所述绝缘膜是沟道保护膜。

7.如权利要求5或6所述的半导体装置，其特征在于：

所述氧化物半导体是IGZO。

8.一种显示装置，其包括第一基板和与所述第一基板相对配置的第二基板，所述显示装置的特征在于：

所述第一基板包括：半导体层；与该半导体层分别重叠的多个电极部；和配置在该多个电极部中的各个电极部彼此之间且与所述半导体层重叠的绝缘膜，

所述半导体层由氧化物半导体形成，该半导体层整体与所述多个电极部和所述绝缘膜重叠。

9.如权利要求8所述的显示装置，其特征在于：

所述第一基板是在多个像素中的每个像素分别设置有薄膜晶体管的有源矩阵基板，

所述半导体层构成所述薄膜晶体管。

10.如权利要求8或9所述的显示装置，其特征在于：

所述多个电极部是源极电极和漏极电极，

所述绝缘膜是沟道保护膜。

11.如权利要求8至10中任一项所述的显示装置，其特征在于：

所述氧化物半导体是IGZO。