[发明专利]成膜方法及成膜装置无效
| 申请号： | 201280009843.7 | 申请日： | 2012-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN103392222A | 公开（公告）日： | 2013-11-13 |
| 发明（设计）人： | 本间孝治;犬塚仁 | 申请（专利权）人： | 株式会社山景工程 |
| 主分类号： | H01L21/225 | 分类号： | H01L21/225;H01L21/31;H01L21/316;H01L31/04 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 刘晓迪 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种不使用有毒气体而在大气压下有效地形成含有高浓度的杂质的膜的成膜方法等。本发明的成膜方法构成为，将硼或五氧化二磷等杂质的固态源加热并使其蒸发而产生气体，通过将得到的气体向被预热的基板的表面喷射，从而在所述基板上形成含有杂质的膜。 | ||
| 搜索关键词： | 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种成膜方法，其特征在于，将杂质的固态源加热并使其蒸发而产生气体，通过将所述气体向基板喷射而在所述基板上形成含有杂质的膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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