[发明专利]成膜方法及成膜装置无效
| 申请号: | 201280009843.7 | 申请日: | 2012-02-14 |
| 公开(公告)号: | CN103392222A | 公开(公告)日: | 2013-11-13 |
| 发明(设计)人: | 本间孝治;犬塚仁 | 申请(专利权)人: | 株式会社山景工程 |
| 主分类号: | H01L21/225 | 分类号: | H01L21/225;H01L21/31;H01L21/316;H01L31/04 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 刘晓迪 |
| 地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 方法 装置 | ||
1.一种成膜方法,其特征在于,
将杂质的固态源加热并使其蒸发而产生气体,
通过将所述气体向基板喷射而在所述基板上形成含有杂质的膜。
2.如权利要求1所述的成膜方法,其特征在于,
在喷射所述气体之前将所述基板预热。
3.如权利要求1或2所述的成膜方法,其特征在于,
将所述固态源配置在具有喷射孔的容器内,
将在所述容器内加热所述固态源而产生的所述气体从所述喷射孔向所述基板喷射。
4.如权利要求3所述的成膜方法,其特征在于,
将用于输送所述气体的载流气体导入所述容器内,将所述气体与所述载流气体一同从所述喷射孔喷射。
5.如权利要求1~4中任一项所述的成膜方法,其特征在于,
将所述气体向由搬送装置连续地搬送的所述基板喷射。
6.如权利要求1~5中任一项所述的成膜方法,其特征在于,
在所述膜形成的同时,利用所述气体的温度进行所述杂质向所述基板中的扩散。
7.如权利要求1~6中任一项所述的成膜方法,其特征在于,
所述固态源具有硼。
8.如权利要求1~6中任一项所述的成膜方法,其特征在于,
所述固态源具有氧化磷。
9.一种成膜装置,其特征在于,包括:
加热装置,其将杂质的固态源加热并使其蒸发而产生气体;
喷射装置,其通过将所述气体向基板喷射而在所述基板上形成含有杂质的膜。
10.如权利要求9所述的成膜装置,其特征在于,
具有将喷射所述气体前的所述基板预热的预热装置。
11.如权利要求9或10所述的成膜装置,其特征在于,
具有收纳所述固态源的容器部,
所述加热装置配置在所述容器部的内部,
所述喷射装置为形成于所述容器部的喷射孔。
12.如权利要求11所述的成膜装置,其特征在于,
具有将用于输送所述气体的载流气体导入所述容器部的载流气体导入装置,
所述喷射孔将所述气体与所述载流气体一同喷射。
13.如权利要求9~12中任一项所述的成膜装置,其特征在于,
在所述喷射装置具有连续地搬送所述基板的搬送装置。
14.如权利要求9~13中任一项所述的成膜装置,其特征在于,
在所述膜形成的同时,利用所述气体的温度进行所述杂质向所述基板中的扩散。
15.如权利要求9~14中任一项所述的成膜装置,其特征在于,
所述固态源具有硼。
16.如权利要求9~14中任一项所述的成膜装置,其特征在于,
所述固态源具有氧化磷。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





