[发明专利]使用氧化硅多层结构的减少的图案化负载

摘要

本发明揭示的各方面有关于在图案化基板上沉积共形氧化硅多层的方法。所述共形氧化硅多层各自通过沉积多个子层而形成。子层是通过以下步骤沉积的：将双（二乙基胺基）硅烷(BIS(DIETHYLAMINO)SILANE,BDEAS)与含氧前驱物流入处理腔室，使得在整个图案化基板表面上达成相对均匀的介电质生长速率。在形成子层后可接着有等离子体处理，以进一步改善共形度并且减少共形氧化硅多层膜的湿蚀刻速率。根据实施例生长的共形氧化硅多层的沉积对图案密度的依赖减少，同时仍适合用于非牺牲性的应用。

主权项

1.一种用于在处理腔室的基板处理区域中在图案化基板上形成共形氧化硅多层的方法，其中所述图案化基板具有致密图案化区域与稀疏图案化区域，所述方法包含以下依序的步骤：执行化学气相沉积的第一循环，包含以下操作：将BDEAS流进所述基板处理区域；将第一含氧前驱物流进所述基板处理区域，以及由所述BDEAS与所述第一含氧前驱物通过化学气相沉积在所述图案化基板上形成所述共形氧化硅多层的第一共形氧化硅子层；从该基板处理区域移除未反应以及部分反应的前驱物；以及执行化学气相沉积的第二循环，包含以下操作：将BDEAS流进所述基板处理区域；将第二含氧前驱物流进所述基板处理区域；以及由所述BDEAS与所述第二含氧前驱物通过化学气相沉积在所述图案化基板上形成所述共形氧化硅多层的第二共形氧化硅子层；其中所述第一共形氧化硅子层的厚度为约或更少。