[发明专利]使用氧化硅多层结构的减少的图案化负载

权利要求书

1.一种用于在处理腔室的基板处理区域中在图案化基板上形成共形氧化硅多层的方法，其中所述图案化基板具有致密图案化区域与稀疏图案化区域，所述方法包含以下依序的步骤：

执行化学气相沉积的第一循环，包含以下操作：

将BDEAS流进所述基板处理区域；

将第一含氧前驱物流进所述基板处理区域，以及

由所述BDEAS与所述第一含氧前驱物通过化学气相沉积在所述图案化基板上形成所述共形氧化硅多层的第一共形氧化硅子层；

从该基板处理区域移除未反应以及部分反应的前驱物；以及

执行化学气相沉积的第二循环，包含以下操作：

将BDEAS流进所述基板处理区域；

将第二含氧前驱物流进所述基板处理区域；以及

由所述BDEAS与所述第二含氧前驱物通过化学气相沉积在所述图案化基板上形成所述共形氧化硅多层的第二共形氧化硅子层；

其中所述第一共形氧化硅子层的厚度为约或更少。

2.如权利要求1所述的方法，其中将所述第一与第二含氧前驱物流进所述基板处理区域包含以下步骤：将分子氧流进所述基板处理区域。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述第一与第二含氧前驱物基本上由分子氧（O₂）构成。

4.如权利要求2所述的方法，其中所述第一与第二含氧前驱物基本上不含臭氧（O₃）。

5.如权利要求1所述的方法，其中流进所述第一与第二含氧前驱物包含以下步骤：将分子氧与臭氧流进所述基板处理区域。

6.如权利要求5所述的方法，其中所述臭氧的流速低于约300sccm。

7.如权利要求1所述的方法，其中流进BDEAS与流进所述第一含氧前驱物的所述操作是并流的。

8.如权利要求1所述的方法，其中在所述致密图案化区域中的所述共形氧化硅多层的第一厚度是在所述稀疏图案化区域中的第二厚度的一共形度百分比内，且所述共形度百分比为约10%。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述第一与第二厚度是在所述图案化基板的实质上垂直的表面上测得的。

10.如权利要求8所述的方法，其中所述致密与稀疏图案化区域中的所述共形氧化硅多层的所述两个厚度是在所述图案化基板的实质上水平的表面上测得的。

11.如权利要求1所述的方法，其中在所述致密图案化区域中的所述共形氧化硅多层的第一厚度是在所述稀疏图案化区域中的第二厚度的一共形度百分比内，且所述共形度百分比为约3%。

12.如权利要求1所述的方法，其中流进BDEAS的所述操作包含以下步骤：以大约100mg/min或更大的流速流进BDEAS。

13.如权利要求1所述的方法，进一步包含以下步骤：在执行所述第一循环后且在执行化学气相沉积的所述第二循环前，以等离子体处理所述第一共形氧化硅子层。

14.如权利要求13所述的方法，其中所述等离子体是由氩气、氦气、臭氧或氮气（N₂）的至少一种所形成。

15.如权利要求13所述的方法，其中所述等离子体是通过使用约为5MHz或更大的频率与约为300瓦或更大的功率形成的。

16.如权利要求1所述的方法，其中在形成所述第一共形氧化硅子层期间所述基板处理区域中的压力为约350Torr或更低。

17.如权利要求1所述的方法，其中在形成所述第一共形氧化硅子层期间所述图案化基板的温度为约400℃或更低。

18.如权利要求1所述的方法，其中所述第一共形氧化硅子层的所述厚度大约或更小。

19.如权利要求1所述的方法，其中所述致密图案化区域中沉积前的平均的经暴露实质垂直面积超过所述稀疏图案化区域的沉积前的平均的经暴露实质垂直面积达一倍数，所述倍数为约2。

20.如权利要求1所述的方法，进一步包含操作：在化学气相沉积的所述第一循环期间将携带所述BDEAS的载气流进所述基板处理区域。