[发明专利]半导体器件的制造方法和半导体器件有效
| 申请号： | 201280006501.X | 申请日： | 2012-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN103339733B | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 寺本章伸;神林宏;上田博一;两角友一朗;原田豪繁;长谷部一秀;大见忠弘 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人东北大学;东京毅力科创株式会社;富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/31;H01L21/316;H01L21/336;H01L21/338;H01L29/778;H01L29/786;H01L29/812 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的半导体器件的制造方法是具有构成半导体层的GaN（氮化镓）的半导体器件的制造方法，其包括栅极绝缘膜形成工序（F），在具有GaN的氮化物层上，使用微波等离子体，形成由SiO2膜和Al2O3膜构成的组之中的至少一种膜，使所形成的膜成为栅极绝缘膜的至少一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，该半导体器件具有构成半导体层的GaN(氮化镓)，该半导体器件的制造方法的特征在于：在基板之上形成第一氮化物层，在所述第一氮化物层之上形成第二氮化物层，在所述第二氮化物层之上形成场氧化膜，包括栅极绝缘膜形成工序，以贯通所述场氧化膜和所述第二氮化物层的方式形成Al2O3膜，对所述Al2O3膜进行自由基氧化处理，之后，使用微波等离子体形成SiO2膜，所述SiO2膜仅贯通所述场氧化膜和所述第二氮化物层，所述SiO2膜位于所述Al2O3膜与栅极电极之间，所述栅极电极位于所述栅极绝缘膜的所述SiO2膜的开口，所述栅极绝缘膜形成工序使用径向线缝隙天线，利用频率为2.45GHz的微波，产生所述微波等离子体。
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