[发明专利]半导体器件的制造方法和半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，该半导体器件具有构成半导体层的GaN（氮化镓），该半导体器件的制造方法的特征在于：

包括栅极绝缘膜形成工序，在具有GaN的氮化物层之上，使用微波等离子体，形成由SiO₂膜和Al₂O₃膜构成的组之中的至少一种膜，使形成的膜成为栅极绝缘膜的至少一部分。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：

所述栅极绝缘膜形成工序具有使用微波等离子体的等离子体CVD处理。

3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：

所述栅极绝缘膜形成工序具有使用微波等离子体的等离子体ALD处理。

4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：

所述栅极绝缘膜形成工序是形成叠层有SiO₂膜和Al₂O₃膜的膜的工序。

5.如权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：

所述栅极绝缘膜形成工序是，在所述氮化物层之上形成Al₂O₃膜，在形成的所述Al₂O₃膜之上形成SiO₂膜，而形成栅极绝缘膜的工序。

6.如权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：

所述栅极绝缘膜形成工序是，通过热ALD处理形成Al₂O₃膜，通过等离子体CVD处理形成SiO₂膜的工序。

7.如权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：

所述栅极绝缘膜形成工序是，在所述氮化物层之上通过热ALD处理形成Al₂O₃膜，对形成的Al₂O₃膜进行规定时间的自由基氧化处理，在进行自由基氧化处理之后在Al₂O₃膜之上通过等离子体CVD处理形成SiO₂膜，而形成栅极绝缘膜的工序。

8.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：

所述栅极绝缘膜形成工序是形成SiO₂膜或Al₂O₃膜中的任一方的膜而形成栅极绝缘膜的工序，

包含使用等离子体CVD处理和等离子体ALD处理这两者形成上述任一方的膜的工序。

9.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：

所述栅极绝缘膜形成工序是形成SiO₂膜而形成栅极绝缘膜的工序，

在所述栅极绝缘膜形成工序中，在所述氮化物层之上通过所述等离子体ALD处理形成第一SiO₂膜，在通过所述等离子体ALD处理形成的所述第一SiO₂膜之上，通过所述等离子体CVD处理形成第二SiO₂膜，使所述第一SiO₂膜和所述第二SiO₂膜为栅极绝缘膜。

10.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：

所述栅极绝缘膜形成工序包括供给包含氮氧化物（NOx）的气体进行处理的工序。

11.如权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：

所述等离子体ALD处理包括将包含BTBAS（bis-tertiaryl-buthyl-amino-silane）的成膜气体供给到所述氮化物层之上的工序。

12.如权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：

所述栅极绝缘膜形成工序具有连续进行所述等离子体ALD处理和所述等离子体CVD处理的工序。

13.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述栅极绝缘膜形成工序产生频率2.45GHz的微波，生成所述微波等离子体。