[发明专利]具有改进的选择性的二氧化硅蒸汽蚀刻有效
| 申请号： | 201280006276.X | 申请日： | 2012-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN103328688A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 安东尼·奥哈拉 | 申请（专利权）人： | 梅姆斯塔有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/44 | 分类号： | C23F1/44;B81C1/00;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 武晶晶;郑霞 |
| 地址： | 英国利*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 通过蚀刻剂气体即氟化氢（HF）蒸汽的使用，以对MEMS内的其它部分且尤其是氮化硅（Si3N4）部分的较高选择性，在微结构比如微机电结构（MEMS）中进行牺牲二氧化硅（SiO2）部分的蚀刻。这是通过适合用于增加HF蒸汽内的二氟化物反应物质（HF2-和H2F2）与一氟化物反应物质（F-和HF）的比率的第二非蚀刻剂气体的添加来实现的。第二非蚀刻剂气体可以包括氢化合物气体。HF蒸汽内的二氟化物反应物质（HF2-和H2F2）与一氟化物反应物质（F-和HF）的比率还可以通过将蚀刻操作温度设定到20℃或以下来增加。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改进 选择性 二氧化硅 蒸汽 蚀刻 | ||
【主权项】：
一种在处理室中从氮化硅（Si3N4）中选择性地蚀刻二氧化硅（SiO2）以便生产一种或多种微结构的方法，所述方法包括：为所述处理室提供包含氟化氢（HF）的蚀刻蒸汽；以及增加所述蚀刻蒸汽内的二氟化物反应物质（HF2‑和H2F2）与一氟化物反应物质（F‑和HF）的比率。
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